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本发明公开了改进的硅化物形成方式及相关器件。一种示例性的方法包括：提供具有在其中的间隔的源极区域和漏极区域的半导体材料；形成栅极结构，该栅极结构介于该源极区域和漏极区域之间；在该栅极结构上方实施栅极替换工艺，从而形成在其中的金属栅电极；在该...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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