用于多芯片器件的热增强结构制造技术

本发明专利技术涉及一种多芯片半导体器件，该器件包括热增强结构、第一半导体芯片、第二半导体芯片、形成在第一半导体芯片和第二半导体芯片上的顶部上的封装材料层。该多芯片半导体器件进一步包括形成在封装层中的多个热通孔。该热增强结构包括与第一半导体管芯相接合的散热器模块。该散热器模块可以进一步包括多种热通孔和热开口。通过使用热增强结构，改进了多芯片半导体器件的热性能。本发明专利技术还提供了一种用于多芯片器件的热增强结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种用于多芯片器件的热增强结构。
技术介绍
自从专利技术了集成电路，由于多种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续发展，半导体工业经历了迅速的发展。就绝大部分而言，集成密度的发展源于最小部件尺寸的再三减小，这使得能够在给定的面积中集成更多的部件。随着半导体技术的发展，三维(3D)集成电路(IC)作为用于进一步减小半导体芯片物理尺寸的高效替代品脱颖而出。在以3D IC为基础的半导体芯片中，有源电路被制造在不同的晶圆上并且使用拾取-放置技术将每个晶圆管芯堆叠在另一个晶圆管芯的顶部上。 可以通过使用3D IC实现极高的密度。另外，3D IC可以实现更小的规格、成本效率、提高的性能以及较低的功率损耗。3D IC器件可以包括顶部有源电路层、底部有源电路层以及多个隔层 (inter-layer) 0隔层之一可以是中介层。在3D IC中，可以通过多个微凸块将两个管芯接合在一起。因此，可以在3D IC中在没有中介层的条件下将多个有源电路层堆叠在一起。然而，由于中介层(作为相对较大的硅层)可以容纳各种不同尺寸的晶圆管芯，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结构，包括：散热器模块，具有与第一半导体管芯相接合的第一表面；所述第一半导体管芯，与第二半导体管芯相连接；封装材料层，位于所述半导体管芯和所述第二半导体管芯中的至少一个上；再分配层，形成在所述封装材料层上，并且与所述第二半导体管芯相连接；以及多个热通孔，与所述散热器模块的第二表面相连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，董志航，邵栋梁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：