用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜制造技术

一种制造集成电路的方法，包括：提供半导体衬底并且在该半导体衬底的上方形成栅极电介质(例如，高-k电介质)。在半导体衬底和栅极电介质的上方形成金属栅极结构，并且在该金属栅极结构的上方形成薄电介质膜。该薄电介质膜包含与金属栅极的金属相结合的氮氧化物。该方法还包括：在金属栅极结构的各个侧面上提供层间电介质(ILD)。本发明专利技术还提供了一种用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种用于高_k金属栅极器件的自对准绝缘膜。
技术介绍
半导体器件的制造包括许多不同的工艺，每个工艺都具有相关的周期时间和成本要求。降低成本和减少周期时间是对器件制造的持续要求。另外，在半导体制造中，减少次品的数量和提高产量是对半导体制造的持续要求。其中，有待改进的一个方面是制造具有高介电常数(高_k)金属栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件。本专利技术提供了对此类器件制造的改进。
技术实现思路
本专利技术提供了许多不同的制造集成电路器件的方法的实施例。在一个实施例中， 一种制造集成电路的方法包括提供半导体衬底和在该衬底上形成栅极电介质(如，高_k 电介质)。将金属栅极结构形成在半导体衬底和栅极电介质上，将薄电介质膜形成在该金属栅极结构上。该薄电介质膜包含与金属栅极的金属相结合的氮氧化物。该方法还包括在金属栅极结构的侧面上提供层间电介质(ILD)。在另一个实施例中，一种制造集成电路的方法包括提供具有高_k电介质高的衬底和在高-k电介质的上方提供多晶硅栅极结构。在该多晶硅栅极结构的顶面上形成硬掩模并且在该多晶硅栅极结构的侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造集成电路的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底的上方形成栅极电介质；在所述半导体衬底和所述栅极电介质的上方形成金属栅极结构；在所述金属栅极结构上形成薄电介质膜，所述薄电介质膜包含与所述金属栅极的金属相结合的氮氧化物；以及提供层间电介质(ILD)，位于所述金属栅极结构的各个侧面上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄仁安，张启新，杨仁盛，林大为，罗仕豪，叶志扬，林慧雯，高荣辉，涂元添，林焕哲，彭治棠，郑培仁，杨宝如，庄学理，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：