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一种制造集成电路的方法，包括：提供半导体衬底并且在该半导体衬底的上方形成栅极电介质(例如，高-k电介质)。在半导体衬底和栅极电介质的上方形成金属栅极结构，并且在该金属栅极结构的上方形成薄电介质膜。该薄电介质膜包含与金属栅极的金属相结合的氮氧...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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