一种控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法技术

本发明专利技术公开了一种控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法，其属于CMOS半导体器件工艺技术领域，步骤包括：在生长衬底氧化硅层的时候多生长一层薄膜层；对衬底氮化硅层进行去除；在衬底氮化硅层去除后量测衬底氧化硅层的厚度，称为前值；同时定一个目标值，目标值为理想状况下衬底氧化硅层的厚度取值；对每个批次的衬底氧化硅层定一个修正值，修正值的取值范围为前值和目标值的差值范围；然后按照修正值对衬底氧化硅层进行修正蚀刻；上述技术方案的有益效果是：改善了衬底氧化层厚度不均匀的问题，节省了半导体工艺的制作成本，缩短了产品的生产制造时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CM0S(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)半导体器件工艺
，尤其涉及。
技术介绍
在CMOS半导体器件工艺中，随着器件尺寸的不断变小，对工艺的要求也越来越高。湿法刻蚀的稳定性也变得越来越重要。 目前CMOS工艺中，浅沟道绝缘层(shallow trench isolation, STI)工艺仍然被广泛的应用。如图I. 1-1. 5所示为典型的STI工艺的结构图。首先，图I. I示出了衬底氧化硅和衬底氮化硅的生长，然后经过光刻和干法刻蚀形成如图I. 2所示的STI图形，经化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)形成如图I. 3所示的绝缘的沟道,接着是进行如图I. 4所不的化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP),以及如图I.5所示的湿法刻蚀去除作为掩膜的氮化硅，然后是离子注入形成N阱和P阱。在湿法刻蚀去除氮化硅工艺中，磷酸是常用的一种化学药液，它与氮化硅反应如图2所示的公式，从公式可以看出，磷酸去除氮化硅反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法，所述浅沟道绝缘层的制程中包括形成衬底氧化硅层、衬底氮化硅层和硅衬底，所述衬底氮化硅层位于所述衬底氧化硅层上面，所述衬底氧化硅层位于所述硅衬底上面；其特征在于，步骤包括：步骤a，在生长所述衬底氧化硅层的时候多生长一层薄膜层；步骤b，对所述衬底氮化硅层进行去除；步骤c，在所述衬底氮化硅层去除后量测所述衬底氧化硅层的厚度，称为前值；同时定一个目标值，所述目标值为理想状况下所述衬底氧化硅层的厚度取值；步骤d，对每个批次的所述衬底氧化硅层定一个修正值，所述修正值的取值范围为所述前值和所述目标值的差值范围；然后按照所述修正值对所述衬底氧化硅层进行修正蚀刻...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王春伟，李阳柏，张传民，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：