电子器件和系统，以及用于该电子器件和系统的制造和使用方法技术方案

提供了一系列新的结构和方法以减少宽阵列的电子器件和系统的功耗。这些结构和方法中的一些可以大部分通过重新使用块CMOS工艺流程和制造技术来实施，允许半导体工业以及更广泛的电子工业避免昂贵地且有风险地切换到替换技术。如将要讨论的，这些结构和方法中的一些涉及深度耗尽沟道设计(DDC)设计，允许CMOS基器件相比于传统的块CMOS具有减小的σVT，并且能够允许在沟道区域中具有掺杂剂的FET的阈值电压VT被更精确地设定。DDC设计与传统的块CMOS晶体管相比还具有强体效应，其允许对DDC晶体管中的功耗进行重要的动态控制。存在很多方式来配置DDC以实现不同的益处，并且本文所呈现的附加结构和方法可单独地或者与DDC相结合地使用，以产生附加的益处。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子器件和系统，以及用于该电子器件和系统的制造和使用方法
技术介绍
电子设备已经空前地成为日常生活不可切割的一部分。诸如个人计算机和移动电话等系统已经从根本上改造了我们如何工作、如何玩以及如何通信。过去的每一年都带来了诸如数宁音乐播放器、电子书阅读器和平板电脑等的新设备，以及对现有产品系列的改进。这些新设备显示了持续改变我们怎样进行我们的生活的日益增加的创新。到今天为止，电子系统对世界经济和现代文化的日益增加的重要性，很大程度上是通过半导体工业对摩尔定律的竖持来实现的。以首先发现该现象的英特尔的创始人戈登摩尔(Gordon Moore)命名的摩尔定律提供了，可以在集成电路(或芯片)上的相同面积内廉价制造的晶体管的数目随着时间的推移而稳定的增加。一些行业专家量化了该定律，并指出例如在相同面积内的晶体管的数目近似每隔两年大致翻倍。没有摩尔定律所提供的功 能的增加以及成本和尺寸上的相关减少，当今广泛使用的很多电子系统将不会付诸实践或可负担得起。有一段时间，半导体工业通过使用块CMOS技术(bulk CMOStechnology)制造芯片中的电路而成功地竖持了摩尔定律。已经证明了块CMOS技术尤其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯科特·E·汤普森，达莫代尔·R·图马拉帕利，
申请(专利权)人：苏沃塔公司，
类型：
国别省市：