双金属栅极晶体管的制造方法技术

一种双金属栅极晶体管的制造方法，包括：提供衬底，在衬底中形成第一掺杂区和第二掺杂区，在衬底上形成覆盖所述第一掺杂区和第二掺杂区的高K介质层，在高K介质层上形成牺牲栅极；去除位于第一掺杂区上的部分牺牲栅极，露出第一掺杂区上的高K介质层，形成由高K介质层和剩余牺牲栅极围成的第一开口；在所述第一开口内形成位于第一掺杂区上的第一金属栅极；在所述第一金属栅极上形成覆盖所述第一金属栅极的阻挡层；去除位于第二掺杂区上剩余牺牲栅极，露出第二掺杂区上的高K介质层，形成由高K介质层、第一金属栅极围成的第二开口；在所述第二开口中形成第二金属栅极；去除阻挡层。本发明专利技术提高了制造良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，更具体地，本专利技术涉及一种。
技术介绍
在半导体超大规模集成电路的发展过程中，晶体管在CMOS器件按比例缩小(scaling)的引导下，密度和性能遵循摩尔定律得到持续化和系统化增长。然而当半导体行业技术节点越小的时候，栅极氧化层的厚度也越来越小，这会造成栅极漏电流、多晶栅耗尽、硼渗透等的问题。 现有技术中发展了一种在高K介质层上形成金属栅极的技术，所述高K介质层可以防止栅极漏电流、多晶栅耗尽、硼渗透等问题。更进一步地，现有技术还发展了一种双金属栅极的技术，所述双金属栅极晶体管中P型器件的栅极和N型器件的栅极金属材料各不相同。在专利号为ZL200480009496. 3的中国专利中公开了一种双金属栅极晶体管的形成方法，结合图I和图2示出了所述专利所形成的双金属栅极晶体管一实施例的侧面示意图，所述双金属栅极晶体管形成方法包括提供具有第一区域34和第二区域36的半导体衬底12 ；形成一个覆盖所述半导体衬底12的第一区域34和第二区域36的介质层14 ；形成覆盖所述介质层14的第一金属层16，其中所述第一金属层16覆盖所述半导体衬底12的第一区域34 ；形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双金属栅极晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底中形成第一掺杂区和第二掺杂区，在衬底上形成覆盖所述第一掺杂区和第二掺杂区的高K介质层，在高K介质层上形成牺牲栅极；去除位于第一掺杂区上的部分牺牲栅极，露出第一掺杂区上的高K介质层，形成由高K介质层和剩余牺牲栅极围成的第一开口；在所述第一开口内形成位于第一掺杂区上的第一金属栅极；在所述第一金属栅极上形成覆盖所述第一金属栅极的阻挡层；去除位于第二掺杂区上剩余牺牲栅极，露出第二掺杂区上的高K介质层，形成由高K介质层、第一金属栅极围成的第二开口；在所述第二开口中形成第二金属栅极；去除阻挡层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李凤莲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：