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一种双金属栅极晶体管的制造方法，包括：提供衬底，在衬底中形成第一掺杂区和第二掺杂区，在衬底上形成覆盖所述第一掺杂区和第二掺杂区的高K介质层，在高K介质层上形成牺牲栅极；去除位于第一掺杂区上的部分牺牲栅极，露出第一掺杂区上的高K介质层，形成由...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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