一种掩膜只读存储器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种掩膜只读存储器的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上定义有存储单元区和外围电路区；在所述衬底上形成未经掺杂的栅极物质层；刻蚀所述栅极物质层，形成栅极；在外围电路区域进行浅掺杂离子注入；在所述栅极和电阻两侧形成侧墙；在外围电路区域进行重掺杂离子注入；在所述衬底上形成研磨截止层；在所述研磨截止层上形成介质层；研磨所述介质层，直至暴露出所述栅极；在所述栅极上利用自对准工艺形成金属硅化物；于存储单元区写入数据。对晶体管功函数和光刻工艺的特征尺寸无不良影响，并能在外围电路区形成电阻等器件，与逻辑工艺等有良好的兼容性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及。
技术介绍
掩膜只读存储器(MROM) 是半导体存储器的常见种类之一，其广泛应用于计算机等电子产品中。掩膜只读存储器由存储单元阵列和外围逻辑电路组成，存储单元阵列往往由相互正交的位线和字线构成。外围逻辑电路往往包括逻辑晶体管等器件。通常，制作掩膜只读存储器的工艺流程如下在半导体衬底上形成浅沟道隔离结构；对半导体衬底的外围电路区进行离子注入工艺形成阱区，对定义为存储单元区进行离子注入形成位线；沉积栅极物质层，其包括栅氧化层、经过掺杂的多晶硅层、和硅化钨层；刻蚀所述栅极物质层形成栅极；对外围电路区的源、漏区域进行浅掺杂离子注入；在栅极两侧形成侧墙；对外围电路区的源、漏区进行重掺杂离子注入；在存储单元区写入数据；形成隔离层隔离存储单元区，外围电路区继续进行后续的工艺，比如形成连接孔、形成金属互联层等工艺。现有工艺中，由于三层(栅氧化层、多晶硅层和硅化钨层)的栅极结构厚度较厚，制约了光刻工艺特征尺寸的进一步缩减；并且，外围电路区通常包括类型不同的晶体管(如PMOS晶体管和NMOS晶体管)，但是现有工艺是利用沉积工艺在外围电路区均沉积相同掺杂类型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜只读存储器的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储单元区和外围电路区；在所述衬底上形成未经掺杂的栅极物质层；刻蚀所述栅极物质层，形成栅极；在所述栅极两侧外围电路区中形成源/漏极；在所述衬底上形成介质层；研磨所述介质层，直至暴露出所述栅极；在所述栅极上利用自对准工艺形成金属硅化物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于涛，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：