半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体存储装置。在各存储单元由一个晶体管构成的半导体存储装置中，上述存储单元由相邻的2比特形成一个扩散图案(4)，相邻的两个晶体管共用源极区域，两个漏极区域被隔离。并且，在配置有各个扩散图案(4)中的至少一列的多个阵列(120、130)中，每个阵列分别具有独立的位线。而且，在阵列分割边界部，每个阵列的位线的各个端部分别位于在一个扩散图案(4)上隔着共用的源极区域彼此隔离的两个漏极区域上。这样一来，能够确保充分的位线分离宽度，并实现面积缩减。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体存储装置的布置情况。
技术介绍
在半导体存储装置中只读存储器(Read Only Memory, ROM)作为即使切断电源数据也不会消失的非易失性存储器而具有重要功能，广泛装载在各种半导体制品上。由于ROM的存储单元能够用一个晶体管存储I比特数据，因此与为了存储I比特数据而需要多个晶体管的静态随机存储器(SRAM)相比，对于缩减电路规模即面积很有效。在细微工艺中，在形成图案时产生偏差的主要原因有很多，即使作为对象的图案形状相同，也会受到配置在其周围的其它图案的很大影响。特别是在存储单元中，不但存储单元本身为精细图案，而且在同一存储单元跨越多个广范围配置的存储阵列中，在该存储阵列中央部和端部周围图案的差别较大，因此容易产生特性偏差。根据某现有技术，在利用存储单元晶体管的阈电压的差异来实现存储数据的ROM中，为了控制阈电压，在制造过程中对栅极正下方的杂质注入量进行控制。而且，在实用区域与其外部的空置区域的边界部，为了减轻空置区域对实用区域的周边部的影响，在空置区域对抗蚀剂进行虚设(dummy)处理以抑制由于抗蚀剂(resist)开口的有无引起的偏差。这样一来，就本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺田裕，仓田胜一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：