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本发明公开了一种半导体存储装置。在各存储单元由一个晶体管构成的半导体存储装置中，上述存储单元由相邻的2比特形成一个扩散图案(4)，相邻的两个晶体管共用源极区域，两个漏极区域被隔离。并且，在配置有各个扩散图案(4)中的至少一列的多个阵列(12...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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