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本发明提供一种掩膜只读存储器的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上定义有存储单元区和外围电路区；在所述衬底上形成未经掺杂的栅极物质层；刻蚀所述栅极物质层，形成栅极；在外围电路区域进行浅掺杂离子注入；在所述栅极和电阻两侧形成侧墙；在外围电路区...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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