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本发明公开了一种控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法，其属于CMOS半导体器件工艺技术领域，步骤包括：在生长衬底氧化硅层的时候多生长一层薄膜层；对衬底氮化硅层进行去除；在衬底氮化硅层去除后量测衬底氧化硅层的厚度，称为前值；同时定一...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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