一种制作金属栅极的方法技术

本发明专利技术公开了一种制作金属栅极的方法，本发明专利技术在制作金属栅极过程中，由于对阻挡层进行干法过刻蚀而造成的凹角采用两个步骤弥补，也就是沉积第二阻挡层后，抛光或刻蚀至替代栅极表面，然后在此基础上进行后续去除替代栅极，在所去除替代栅极区域填充金属栅极并抛光至介质层的步骤后，形成金属栅极。由于本发明专利技术在去除凹角缺陷时，不像现有技术那样通过多抛光金属栅极的过程完成，所以不会影响所制作的金属栅极高度，使得所制作的金属栅极高度与替代栅极高度相同，不会被损失。因此，最终所制作的半导体也不容易失效且良率提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及。
技术介绍
目前，半导体制造工业主要在硅衬底的晶片(wafer)器件面上生长器件，例如，互补型金属氧化物半导体(CMOS)器件。现在普遍采用双阱CMOS工艺在硅衬底上同时制作导电沟道为空穴的P型沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和导电沟道为电子的η型沟道M0SFET，具体步骤为首先，将硅衬底中的不同区域通过掺杂分别成为以电子为多数载流子的(η型)硅衬底和以空穴为多数载流子的(P型)硅衬底之后，在η型硅衬底和P型硅衬底之间制作浅沟槽隔离(STI) 101，然后在STI两侧用离子注入的方法分别形成空穴型掺杂扩散区(P阱)102和电子型掺杂扩散区(N阱)103，接着分别在P阱102和N阱103位 置的wafer器件面依次制作由栅极电介质层104和金属栅105组成的层叠栅极，最后在P阱102和N阱103中分别制作源极和漏极，源极和漏极位于层叠栅极的两侧(图中未画出)，在P阱中形成η型沟道MOSFET，在N阱中形成ρ型沟道MOSFET，得到如图I所示的CMOS器件结构。传统的氮氧化合物/多晶硅层叠栅极，是以氮氧化物作为栅极电介质层，多晶硅作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作金属栅极的方法，该方法包括：在提供的半导体衬底上形成CMOS器件结构，该CMOS器件结构包括替代栅极和有源区，该CMOS器件中的替代栅极上方具有阻挡层，在阻挡层上沉积介质层；采用化学机械平坦化CMP方式对介质层进行抛光，直到阻挡层停止，对阻挡层继续刻蚀，裸露出替代栅极，阻挡层与介质层之间形成凹角；在介质层上沉积第二阻挡层，覆盖所形成的凹角后，采用CMP抛光第二阻挡层至替代栅极或刻蚀第二阻挡层至替代栅极，裸露替代栅极；去除裸露的替代栅极后，在去除替代栅极的区域依次栅极电介质层及金属栅极层；采用CMP方式依次抛光金属栅极层及栅极电介质层，至介质层，形成金属电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈枫，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：