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本发明公开了一种制作金属栅极的方法，本发明在制作金属栅极过程中，由于对阻挡层进行干法过刻蚀而造成的凹角采用两个步骤弥补，也就是沉积第二阻挡层后，抛光或刻蚀至替代栅极表面，然后在此基础上进行后续去除替代栅极，在所去除替代栅极区域填充金属栅极并...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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