The present invention discloses a CMP slurry composition for metal wires and a polishing method using the same, in particular to a CMP slurry composition for polishing metal wires and a polishing method using the same. The CMP slurry composition comprises polishing particles, oxidizing agent, complexing agent, corrosion inhibitor and deionized water, the corrosion inhibitor comprising at least one inorganic corrosion inhibitor selected from the group consisting of ammonium nitrate and nitrite.
【技术实现步骤摘要】
用于金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法相关申请的引证本申请要求于2015年12月11日提交的韩国专利申请10-2015-0177498的优先权，通过引证将其全部公开内容结合于本文中。
本专利技术涉及一种用于金属线的化学机械抛光(CMP)浆料组合物，并且更具体地涉及可以最小化另外形成在铜线上的辅助金属层的化学损失的CMP浆料组合物。
技术介绍
在半导体装置的制造中，CMP过程是用于用抛光垫片和浆料组合物平面化晶圆的表面的过程，并且在其中，在使抛光垫片与晶圆接触之后，在包括平移运动分量和旋转运动分量的抛光垫片和晶圆的轨道运动过程中使用包含抛光剂的浆料组合物抛光晶圆的表面。用于CMP过程的浆料组合物主要由用于物理作用的抛光颗粒和用于化学作用的化合物(如蚀刻剂)组成。因此，浆料组合物通过物理作用和化学作用选择性蚀刻晶圆的暴露表面，从而允许进一步优化的大面积的平面化。在金属线的抛光中，重要的是降低蚀刻速率，同时增加抛光速率。具体地，由于铜线可以容易地被如蚀刻剂的化学品腐蚀，所以抛光速率可以容易地增加并且蚀刻速率也随抛光速率一起升高，从而引起铜线的腐蚀。在铜CMP过程...
【技术保护点】
一种用于抛光金属线的化学机械抛光浆料组合物，包含：抛光颗粒；氧化剂；络合剂；腐蚀抑制剂；和去离子水，其中，所述腐蚀抑制剂包含选自由亚硝酸盐和硝酸铵组成的组中的至少一种无机腐蚀抑制剂。
【技术特征摘要】
2015.12.11 KR 10-2015-01774981.一种用于抛光金属线的化学机械抛光浆料组合物，包含：抛光颗粒；氧化剂；络合剂；腐蚀抑制剂；和去离子水，其中，所述腐蚀抑制剂包含选自由亚硝酸盐和硝酸铵组成的组中的至少一种无机腐蚀抑制剂。2.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中，所述亚硝酸盐包含亚硝酸钠、亚硝酸钾、亚硝酸铵和它们的组合中的至少一种。3.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中，所述无机腐蚀抑制剂以0.001wt％至10wt％的量存在于所述化学机械抛光浆料组合物中。4.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，进一步包含：表面活性剂、聚合化合物、分散剂、pH调节剂或它们的组合。5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：李昭滢，都均奉，金东珍，安江洙，郑荣哲，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。