【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般地涉及半导体领域，更具体地来说，涉及半导体沉积腔室。
技术介绍
一般而言，沉积工艺如原子层沉积应用一系列相继引入的前体材料在一系列自限制性反应中在半导体衬底上形成材料的原子单层。例如，可以引入气态的第一前体材料并吸附在半导体衬底的表面上，当衬底表面上的每一个活性位点(active site)都键合至第一前体材料分子时停止，从而对原子单层限制第一前体材料的深度。当形成了原子单层之后，可以从腔室中去除气态第一前体材料，并可以引入第二前体材料与第一前体材料反应， 以在另一自限制性反应中形成期望的材料层的单层。然而，在这种在半导体衬底上的沉积工艺期间，前体材料不仅吸附在半导体衬底上而且还吸附在暴露于前体材料的任何其他表面上。具体而言，前体材料将吸附在沉积腔室自身的表面上，如沉积腔室的侧面、顶面和底面。鉴于此，在沉积腔室的表面上也形成正在半导体衬底上沉积的材料层。然而，一些材料可能对沉积腔室的使用期限具有有害影响。材料如类高k电介质的氧化铪、氧化锌、和其他陶瓷可能具有较小的延展性，并且还可能具有与沉积腔室的表面的较差粘附性。鉴于此，在一个工艺中形成这些材料之...
【技术保护点】
一种用于沉积材料的方法，所述方法包括：在沉积腔室的表面上形成第一层，所述第一层包含第一材料并具有突出物；以及在形成所述第一材料之后调节所述沉积腔室，所述调节在所述第一材料和所述突出物的上方形成第二层，所述第二层包含第二材料，所述第二材料不同于所述第一材料。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦羽，蔡家铭，纪良臻，陈健源，刘格志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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