易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备，至少包括清洗气体发生装置、及通过主通道依次顺序连通的反应室、隔离阀、压力调节阀及抽气泵，其中，所述清洗气体发生装置通过清洗气体供应通道连通至所述反应室的第一输入端，所述清洗气体供应通道与一设有第一阀门的旁通道的一端连通，位于所述隔离阀和压力调节阀之间的主通道与所述旁通道的另一端连通。本实用新型专利技术增加了直接引入清洗气体至压力调节阀的旁通道，有效地针对压力调节阀及与其连接的通道上附着的副产物进行清除，保证了压力调节阀的长期正常运转；本实用新型专利技术中的相关装置及阀门均通过计算机进行控制，易于操作，且本实用新型专利技术设计简单方便，便于实施，成本低。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备
本技术涉及一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备。
技术介绍
化学气相沉积(Chemical vapor deposition, CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。现有的化学气相沉积设备，在反应室中通入反应气体，对位于反应室中的基底材料表面上进行薄膜沉积，但是此沉积过程中，通常会产生大量的副产物废气，尤其是对基底材料进行快速沉积(即沉积率高)时，与排气通道连通的抽气泵需要抽取很多的反应室副产物废气，因此无法将废气很快的完全排出，导致这些副产物废气会附着在反应室、排气通道及反应室与排气通道中间的隔离阀和压力调节阀处。通常，在进行沉积薄膜后，所述化学气相沉积设备的反应室还会通入由清洗器发生装置输出的清洗气体用于去除反应室内的副产物，但为了保证不影响反应室中基底材料表面已形成的薄膜质量，往往会控制清洗气体的量，从而所述清洗气体在去除反应室内的副产物之后所剩余的量很少，不足以清除与所述反应室输出端相连通的压力调节阀及与其连接的通道上的副产物沉积物，这些副产物沉积物是由从所述反应室输出的、未及时排出的废气在通道中传输时热损耗后形成泡沫状沉积物，长期附着在压力调节阀上，影响压力调节阀的正常运转。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备，用于解决现有技术中的化学气相沉积设备缺乏对压力调节阀及与其连接的通道上附着的副产物进行清除导致压力调节阀的无法正常运转的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备至少包括清洗气体发生装置、及通过主通道依次顺序连通的反应室、隔离阀、压力调节阀及抽气泵；其中，所述清洗气体发生装置通过清洗气体供应通道连通至所述反应室的第一输入端，所述清洗气体供应通道与一设有第一阀门的旁通道的一端连通，位于所述隔离阀和压力调节阀之间的主通道与所述旁通道的另一端连通。可选地，所述第一输入端设置有第二阀门。可选地，所述清洗气体发生装置输出的是离子状态的含氟的气体或离子状态的含氯的气体。可选地，所述清洗气体供应通道上、及位于所述隔离阀和压力调节阀之间的主通道上，均设有供其分别与旁通道进行连通的孔洞。可选地，在各该孔洞周围、所述清洗气体供应通道和旁通道的连接处、及主通道和旁通道的连接处包裹有密封圈。可选地，所述化学气相沉积设备还包括与所述抽气泵相连通的废气通道。可选地，所述废气通道的一端连通至抽气泵，所述废气通道的另一端连通至毒性去除装置。可选地，所述化学气相沉积设备还包括借助反应气体供应通道与所述反应室第二输入端相连通的反应气体发生装置。可选地，所述第二输入端设置有第三阀门。可选地，所述主通道、旁通道、清洗气体供应通道、反应气体供应通道的材料为铝。如上所述，本技术的易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备，具有以下有益效果与现有的化学气相沉积设备相比较，本技术的化学气相沉积设备增加了直接引入清洗气体至压力调节阀的旁通道，利用清洗气体发生装置产生的清洗气体有效地针对压力调节阀及与其连接的通道上附着的副产物进行清除，保证了压力调节阀的长期正常运转，同时，本技术中的相关装置及阀门均通过计算机进行控制，易于操作，且本技术设计简单方便，便于实施，成本低。附图说明图I和图2显示为本技术的易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备的结构示意图。元件标号说明I清洗气体发生装置2反应室21第二阀门22第三阀门3隔离阀4压力调节阀5抽气泵6反应气体发生装置7主通道8旁通道81第一阀门9反应气体供应通道10清洗气体供应通道11废气通道12毒性去除装置具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图I至图2。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、 “右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。现有的化学气相沉积设备往往仅针对反应室内产生的副产物进行去除，而对于连通至反应室输出端的压力调节阀缺乏去除副产物的相应处理，由于所述压力调节阀上附着的副产物未得到及时地清除，导致压力调节阀的无法正常运转，造成现有的化学气相沉积设备压力控制失效。有鉴于此，本技术提供了一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备，增加了直接引入清洗气体至压力调节阀的旁通道，从而有效地针对压力节阀及与其连接的通道上附着的副产物进行清除，保证了压力调节阀的长期正常运转，同时，本技术设计简单方便，易于操作，便于实施。以下将详细阐述本技术的易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备的结构及实施方式，使本领域技术人员不需要创造性劳动即可理解本技术的易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备。如图I至图2所示，本技术提供一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备至少包括清洗气体发生装置1，通过主通道7依次顺序连通的反应室2、隔离阀3、压力调节阀4及抽气泵5。所述清洗气体发生装置I通过清洗气体供应通道10连通至所述反应室2的第一输入端，且所述第一输入端(未标注)设置有第二阀门21，以控制气体是否从第一输入端流入至反应室2中。在本实施例中，所述清洗气体发生装置I输出的清洗气体为离子状态的清洗气体，具体为离子状态的含氟的气体，用以去除所述化学气相沉积设备进行薄膜沉积时产生的副产物。但并不局限与此，所述清洗气体发生装置I输出的清洗气体还可为离子状态的含氯的气体。所述清洗气体供应通道10与一设有第一阀门81的旁通道8的一端连通，位于所述隔离阀3和压力调节阀4之间的主通道7与所述旁通道8的另一端连通。在本实施例中， 所述主通道7、旁通道8、清洗气体供应通道10的材料均为铝，以防止各该通道的材料与流动于其中的气体发生反应，生成粒子杂质，造成污染。本实施例中，为了安装所述旁通道8简单方便，所述清洗气体供应通道10上、及位于所述隔离阀3和压力调节阀4之间的主通道7上，均设有孔洞(未图示)，供所述清洗气体供应通道10与旁通道8的一端相连通，同时，供位于所述隔离阀3和压力调节阀4之间的主通道7与旁通道8的另一端相连通。因此，本实施例中，当所述旁通道8中通有清洗气体时，可以有效地针对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备至少包括：清洗气体发生装置、及通过主通道依次顺序连通的反应室、隔离阀、压力调节阀及抽气泵；其中，所述清洗气体发生装置通过清洗气体供应通道连通至所述反应室的第一输入端，所述清洗气体供应通道与一设有第一阀门的旁通道的一端连通，位于所述隔离阀和压力调节阀之间的主通道与所述旁通道的另一端连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许亮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：