易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备制造技术

技术编号:8466344 阅读:143 留言:0更新日期:2013-03-23 06:52
本实用新型专利技术提供一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备,至少包括清洗气体发生装置、及通过主通道依次顺序连通的反应室、隔离阀、压力调节阀及抽气泵,其中,所述清洗气体发生装置通过清洗气体供应通道连通至所述反应室的第一输入端,所述清洗气体供应通道与一设有第一阀门的旁通道的一端连通,位于所述隔离阀和压力调节阀之间的主通道与所述旁通道的另一端连通。本实用新型专利技术增加了直接引入清洗气体至压力调节阀的旁通道,有效地针对压力调节阀及与其连接的通道上附着的副产物进行清除,保证了压力调节阀的长期正常运转;本实用新型专利技术中的相关装置及阀门均通过计算机进行控制,易于操作,且本实用新型专利技术设计简单方便,便于实施,成本低。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备
本技术涉及一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备。
技术介绍
化学气相沉积(Chemical vapor deposition, CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态物质沉积在加热的固态基体表面,进而制得固体材料的工艺技术。化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物,而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。现有的化学气相沉积设备,在反应室中通入反应气体,对位于反应室中的基底材料表面上进行薄膜沉积,但是此沉积过程中,通常会产生大量的副产物废气,尤其是对基底材料进行快速沉积(即沉积率高)时,与排气通道连通的抽气泵需要抽取很多的反应室副产物废气,因此无法将废气很快的完全排出,导致这些副产物废气会附着在反应室、排气通道及反应室与排气通道中间的隔离阀和压力调节阀处。通常,在进行沉积薄膜后,所述化学气相沉积设备的反应室还会通入由清洗器发生装置输出的清洗气体用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备,其特征在于,所述化学气相沉积设备至少包括:清洗气体发生装置、及通过主通道依次顺序连通的反应室、隔离阀、压力调节阀及抽气泵;其中,所述清洗气体发生装置通过清洗气体供应通道连通至所述反应室的第一输入端,所述清洗气体供应通道与一设有第一阀门的旁通道的一端连通,位于所述隔离阀和压力调节阀之间的主通道与所述旁通道的另一端连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:许亮
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造北京有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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