线性批量化学气相沉积系统技术方案

在此描述了一种线性批量CVD系统，该系统包括一个沉积室、一个或多个基底托架、多个气体喷射器以及一个加热系统。每个基底托架都置于该沉积室中并且具有至少一个被配置成接收一个基底的接收座。这些基底托架被配置成将多个基底以一个线性配置的方式保持。每个气体喷射器都包括一个端口，该端口被配置成横过一个或多个这些基底以一种均匀分布的方式来供应一种气体。该加热系统包括至少一个加热元件和用于均匀地控制这些基底的温度的一个加热控制模块。这个系统适用于对多个基底的高容量CVD处理。这个沉积室的窄宽度使前驱气体在这些基底上沿该反应室的长度能够均匀地分布，并且与常规的沉积室相比，允许对更多数量的基底进行处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】线性批量化学气相沉积系统相关申请本申请要求于2010年5月25日提交并且标题为“线性批量化学气相沉积系统(Linear Batch Chemical Vapor Deposition System) ” 的美国专利申请序号 No. 12/787, 082的较早申请日的权益，将该美国专利申请的整体通过引用结合在此。
本专利技术总体上涉及一种用于化学气相沉积系统的方法及系统。更具体来说，本专利技术涉及一种用于对基底进行线性批量处理的化学气相沉积系统。
技术介绍
化学气相沉积(CVD)是常用于将半导体的、电介质的、金属的以及其他薄膜沉积到一个基底的表面上的一种方法。在一种普通的CVD技术中，将一种或多种前驱分子(各自以气相的形式)引入到包括该基底的一个处理室中。通过增加能量来启动或增强这些前驱气体在该基底表面上的反应。例如，可以通过提高该基底的表面温度或通过使该表面暴露于等离子体放电或紫外线(UV)辐射源来增加该能量。通过以气相形式发生的CVD反应沉积的膜的品质显著地取决于这些前驱气体在该基底上的均匀性。该基底表面附近的非均匀气体能产生不令人满意的薄膜均匀性，并且能由于该表面上的多个特征(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·斯费尔拉佐，
申请(专利权)人：艾文达技术股份有限公司，
类型：
国别省市：