本发明专利技术公开了一种腔室装置，包括：限定有腔室的腔室本体；气体分布板，所述气体分布板设在腔室内以将腔室分割为上腔室和下腔室，上腔室具有进气口且下腔室具有出气口，气体分布板上设有将上腔室和下腔室连通的多个分配孔；和分布板衬板，所述分布板衬板设在腔室内且位于气体分布板下面，分布板衬板上设有多个通孔，分布板衬板的下表面上设有由第一半导体材料制成的第一覆盖层。根据本发明专利技术实施例的腔室装置，在用于化学气相沉积时，在分布板内衬上沉积的薄膜致密性和结合力都较好，薄膜不易崩落，因而不易引起颗粒污染，大大增加了维护周期。本发明专利技术还公开了一种具有上述腔室装置的基片处理设备。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子
，尤其是涉及一种腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备。
技术介绍
在微电子芯片或太阳能多晶硅电池芯片加工过程中广泛用到化学气相沉积设备。 如图3所示，I’为进气管路，2’为气体分布板(Shower Head), 3 为反应腔室，4’为待处理芯片，5’为芯片载板、托盘或卡具，6’为射频系统，7’为排气管道。在化学气相沉积工艺过程中，由排气管道V为反应腔室3’提供真空环境，反应腔室3’通过射频注入能量，由进气管路I’导入反应气体，经过气体分布板2’将气体均匀导入，反应气体在反应腔室3’中进行化学反应，生成物沉积在待处理芯片4’上，残气经排气管道7’最终由真空泵排出。对于化学气相沉积设备来说，理想的情况是反应生成物仅在待处理的芯片表面发生化学反应并沉积生成物，而在其他位置(如反应腔室侧壁、芯片支撑平台、气体分布板等)不发生化学反应和沉积作用。但这在实际 中，化学反应不可避免地在反应腔室的其他位置发生，由于待沉积物质的晶格结构与反应腔室内部或气体分布板的金属相差较大，因此在这些位置沉积的副产物薄膜致密性和结合力都较差，很容易造成薄膜崩落，进而产生颗粒污染。为了保障设备的性能，就需要频繁对反应腔室内部和气体分布板进行维护，减低了设备的运行效率，加大了设备的运行成本。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种腔室装置，所述腔室装置在用作化学气相沉积的反应腔室时不易产生颗粒污染，延长了维护周期。本专利技术的另一个目的在于提出一种具有上述腔室装置的基片处理设备。根据本专利技术实施例的一种腔室装置，包括腔室本体，所述腔室本体内限定有腔室；气体分布板，所述气体分布板设在所述腔室内以将所述腔室分割为上腔室和下腔室，所述上腔室具有进气口且所述下腔室具有出气口，所述气体分布板上设有将所述上腔室和所述下腔室连通的多个分配孔；和分布板衬板，所述分布板衬板设在所述腔室内且位于所述气体分布板下面，所述分布板衬板上设有多个通孔，所述分布板衬板的下表面上设有第一覆盖层，所述第一覆盖层由第一半导体材料制成。根据本专利技术实施例的腔室装置，在用于化学气相沉积时，由于半导体材料的晶格结构与待沉积物质(如氮化硅)的晶格结构相近，因此在分布板内衬上沉积的薄膜致密性和结合力都较好，薄膜不易崩落，因而不易引起颗粒污染，大大增加了对腔室内部和气体分布板进行维护的周期，且维护时仅需要更换分布板内衬即可，减少了维护时间。另外，根据本专利技术的腔室装置还具有如下附加技术特征在本专利技术的一个实施例中，所述分布板衬板的整个表面上均设有所述第一覆盖层。其中，所述分布板衬板由所述第一半导体材料形成，且所述分布板衬板与所述第一覆盖层一体形成。所述分布板衬板设在所述气体分布板的下表面上且所述分布板衬板上的通孔与所述气体分布板上的所述分配孔一一对应，以保证气体分布的均匀性。可选地，所述通孔与所述分配孔的横截面尺寸相同，以进一步保证气体分布的均匀性。在本专利技术的另一个实施例中，所述分布板衬板由陶瓷、不锈钢或铝制成，所述第一覆盖层为设在所述分布板衬板的下表面上的第一半导体材料薄膜。腔室装置进一步包括腔室衬板，所述腔室衬板设在所述下腔室的内周壁上，所述腔室衬板暴露到所述腔室内的内表面上设有第二覆盖层，所述第二覆盖层由第二半导体材料制成。由此，根据本专利技术实施例的腔室装置，在用于化学气相沉积时，通过在下腔室的内周壁上设置腔室衬板，并且在腔室衬板上设置半导体覆盖层，使得在腔室衬板沉积的薄膜致密性和结合力都较好，薄膜不易崩落，能够降低设备产生颗粒的数量，延长维护周期，减少维护时长。可选地，所述腔室衬板的整个表面上均 设有所述第二覆盖层。进一步可选地，所述第二覆盖层为设在所述腔室衬板的表面上的第二半导体材料薄膜。所述腔室衬板由所述第二半导体材料形成，且所述腔室衬板与所述第二覆盖层一体形成。可选地，所述分布板衬板和腔室衬板的边缘均被倒圆，以避免在等离子体环境中出现尖端放电现象。所述第二半导体材料选自多晶硅、II1-V族化合物半导体材料，掺杂的II1-V族化合物半导体材料、I1-VI族化合物半导体材料、和掺杂的I1-VI族化合物半导体材料中的一种或多种。所述第一半导体材料选自多晶硅、II1-V族化合物半导体材料，掺杂的II1-V族化合物半导体材料、I1-VI族化合物半导体材料、和掺杂的I1-VI族化合物半导体材料中的一种或多种。根据本专利技术第二方面实施例的基片处理设备，包括腔室装置，所述腔室装置为根据本专利技术第一方面实施例中所述的腔室装置；能量供给装置，所述能量供给装置所述腔室装置相连用于向所述腔室装置的腔室内供给能量；和载板，所述载板设在所述腔室装置的下腔室内用于承载基片。可选地，所述能量供给装置通过加热、射频或微波方式将能量供给到所述腔室内。所述基片处理设备为化学气相沉积设备。根据本专利技术实施例的基片处理设备，通过在腔室中设置分布板衬板和腔室衬板， 并且采用与待沉积物质的晶格结构相近的半导体覆盖层，使得在分布板内衬和腔室衬板沉积的薄膜致密性和结合力都较好，薄膜不易崩落，因而不易引起颗粒污染。大大增加了对腔室内部和气体分布板进行维护的周期，且维护时仅需要更换分布板内衬和腔室衬板即可， 减少了对整个基片处理设备的维护时间，间接增加的设备的运行时长，降低设备的运行成本。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中图1是根据本专利技术实施例的腔室装置的示意图2是根据本专利技术实施例的基片处理设备的示意图；和图3是传统的化学气相沉积设备的不意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解 ，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。下面参考图1描述根据本专利技术实施例的一种腔室装置100，用作化学气相沉积的反应腔室，下面以腔室装置用作氮化硅化学气相沉积的反应腔室为例进行说明，当然，根据本专利技术的腔室装置还可以用作其他待沉积物质的反应腔室。根据本专利技术实施例的腔室装置包括腔室本体1、气体分布板2和分布板衬板3。 如图1所示，在腔室本体I内限定有腔室，气体本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种腔室装置，其特征在于，包括：腔室本体，所述腔室本体内限定有腔室；气体分布板，所述气体分布板设在所述腔室内以将所述腔室分割为上腔室和下腔室，所述上腔室具有进气口且所述下腔室具有出气口，所述气体分布板上设有将所述上腔室和所述下腔室连通的多个分配孔；和分布板衬板，所述分布板衬板设在所述腔室内且位于所述气体分布板下面，所述分布板衬板上设有多个通孔，所述分布板衬板的下表面上设有第一覆盖层，所述第一覆盖层由第一半导体材料制成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨盟，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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