腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种腔室装置，包括：限定有腔室的腔室本体；气体分布板，所述气体分布板设在腔室内以将腔室分割为上腔室和下腔室，上腔室具有进气口且下腔室具有出气口，气体分布板上设有将上腔室和下腔室连通的多个分配孔；和分布板衬板，所述分布板衬板设在腔室内且位于气体分布板下面，分布板衬板上设有多个通孔，分布板衬板的下表面上设有由第一半导体材料制成的第一覆盖层。根据本发明专利技术实施例的腔室装置，在用于化学气相沉积时，在分布板内衬上沉积的薄膜致密性和结合力都较好，薄膜不易崩落，因而不易引起颗粒污染，大大增加了维护周期。本发明专利技术还公开了一种具有上述腔室装置的基片处理设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，尤其是涉及一种腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备。
技术介绍
在微电子芯片或太阳能多晶硅电池芯片加工过程中广泛用到化学气相沉积设备。 如图3所示，I’为进气管路，2’为气体分布板(Shower Head), 3 为反应腔室，4’为待处理芯片，5’为芯片载板、托盘或卡具，6’为射频系统，7’为排气管道。在化学气相沉积工艺过程中，由排气管道V为反应腔室3’提供真空环境，反应腔室3’通过射频注入能量，由进气管路I’导入反应气体，经过气体分布板2’将气体均匀导入，反应气体在反应腔室3’中进行化学反应，生成物沉积在待处理芯片4’上，残气经排气管道7’最终由真空泵排出。对于化学气相沉积设备来说，理想的情况是反应生成物仅在待处理的芯片表面发生化学反应并沉积生成物，而在其他位置(如反应腔室侧壁、芯片支撑平台、气体分布板等)不发生化学反应和沉积作用。但这在实际 中，化学反应不可避免地在反应腔室的其他位置发生，由于待沉积物质的晶格结构与反应腔室内部或气体分布板的金属相差较大，因此在这些位置沉积的副产物薄膜致密性和结合力都较差，很容易造成薄膜崩落，进而产生颗粒污染。为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种腔室装置，其特征在于，包括：腔室本体，所述腔室本体内限定有腔室；气体分布板，所述气体分布板设在所述腔室内以将所述腔室分割为上腔室和下腔室，所述上腔室具有进气口且所述下腔室具有出气口，所述气体分布板上设有将所述上腔室和所述下腔室连通的多个分配孔；和分布板衬板，所述分布板衬板设在所述腔室内且位于所述气体分布板下面，所述分布板衬板上设有多个通孔，所述分布板衬板的下表面上设有第一覆盖层，所述第一覆盖层由第一半导体材料制成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨盟，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：