【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种导电薄膜的制备方法及装置，尤其涉及一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置，属于材料科学领域。
技术介绍
自从Iijima在1991年发现碳纳米管以来，因其独特的离域电子结构和物理化学性质，碳纳米管在一系列领域得到了极大的关注。作为其中的一个重要应用，碳纳米管薄膜技术在近年也取得了一些进展。目前为止，主要有两种方式来实现碳纳米管薄膜的制备。其中一种是将分散的碳纳米管进行诸如真空过滤、涂布、印刷等成膜处理得到碳纳米管薄膜， 我们称之为“湿法”。在湿法成膜时，碳纳米管经分散处理以后，碳纳米管的长度和结构都会受到破坏，极大地影响了碳纳米管的性能，所形成的薄膜的导电性也会大大降低；同时湿法成膜技术需要经历很多处理步骤，造成工艺的复杂性和生产成本的上升。另一种是不经分散直接成膜的方法，我们称之为“干法”，相对于湿法成膜而言，干法无需对碳纳米管进行分散处理而直接成膜，不仅大大减少了工艺步骤，节约了成本，而且还有利于碳纳米管结构和长度的保持，是充分发挥碳纳米管性能，制备高性能碳纳米管薄膜的有效途径。现有的干法成膜主要有如下两类方法一类是基于阵列化碳纳米管的拉丝...
【技术保护点】
一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于，包括：利用浮动催化裂解法在温度为1250?1600℃的条件下制备碳纳米管气溶胶，并将所述碳纳米管气溶胶导入封闭空腔内，以及，在与所述封闭空腔上开设的狭缝的对应位置设置基底，并以定向磁场诱导所述封闭空腔内的碳纳米管穿过所述狭缝，并定向沉积到基底上，形成高导电碳纳米管薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈新江，
申请(专利权)人：苏州汉纳材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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