原料气体发生装置制造方法及图纸

一种原料气体发生装置，抑制原料气体的浓度降低。该原料气体发生装置（101）对容器（111）内的固体原料（102）进行加热，产生CVD加工用的原料气体。经由通气管（113）导入到容器（111）内的运载气体通过气体扩散部件（115）的扩散体（131）进行扩散，并从开口部（115A）向垂直下方向喷出。由固体原料102产生的原料气体与运载气体一起从固体原料（102）的上方经由通气管（116）向容器（111）之外排出。本发明专利技术例如可适用于产生CVD加工用的原料气体的原料气体发生装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及原料气体发生装置，特别是涉及产生CVD (Chemical VaporDeposition)加工用的原料气体的原料气体发生装置。
技术介绍
目前，在产生CVD加工用的原料气体的原料气体发生装置中，将装有羰络金属(金属ヵルボニル)等粉末状的固体原料的容器进行加热，产生原料气体，并且向容器内导入运载气体，将原料气体与该运载气体一起向容器之外排出，并供给导进行CVD加工的激光加エ装置(例如，參照专利文献I)。图I表示该原料气体发生装置的构成之一例。 图I的原料气体发生装置I构成为包含圆筒形的容器11、圆板上的盖12、通气管13，阀14、扩散体15、通气管16及阀17。容器11利用未图示的加热装置设定为规定的温度，容器11内的固体原料2因该热量而蒸发，产生原料气体。另ー方面，运载气体经由通气管13导入到容器11内，通过设于通气管13前端的扩散体15向除扩散体15上方以外的各方向大致均等地扩散。而且，扩散的运载气体在容器11内流动，将由固体原料2产生的原料气体经由通气管16输送至未图示的进行CVD加エ的激光加工装置。此时，利用扩散体15的动作，运载气体在固体原料2的表面附近大致无处不在地流动，因此，无论部位如何，固体原料2均被均等地消耗。另外，在将固体原料2填充到容器11后不久，固体原料2表面的粒子径小的原料蒸发，容器11内的原料气体的浓度变高，因此，从通气管16排出并向激光加工装置供给的气体(下面，称为供给气体)中所占的原料气体的浓度(下面，称为供给原料气体浓度)变高。然后，随着固体原料2的粒子径小的原料被消耗，容器11内的原料气体的浓度降低，从而供给原料气体浓度稳定。专利文献I :(日本)特开2001 — 59178号公报但是，在原料气体发生装置I中，当使运载气体的流量増加，则供给原料气体浓度降低，并且因固体原料2的消耗，供给原料气体浓度降低的量变大。具体而言，在运载气体流量少的情况下，运载气体在容器11内滞留的时间变长，由固体原料2的表面产生的原料气体被运载气体充分输送至通气管16的开ロ部16A。因此，容器11内的原料气体的浓度差变小，通气管16的开ロ部16A附近的原料气体的浓度降低被抑制。其结果是供给原料气体浓度的降低被抑制。另外，如图2所示，即使固体原料2的消耗进展，固体原料2的表面与通气管16的开ロ部16A的距离扩大，由于容器11内的原料气体的浓度差小，所以也能够将供给原料气体浓度的降低量抑制为较小。另ー方面，当使运载气体的流量増加，则从扩散体15的侧面喷出，不能通过固体原料2的表面附近而直接流入通气管16、或滞留在容器11内的上部的运载气体増加。由于该运载气体的流动，妨碍运载气体从固体原料2的表面向通气管16的开ロ部16A的流动，原料气体滞留在固体原料2的表面附近。因此，容器11内的上下方向的原料气体的浓度差变大，通气管16的开ロ部16A附近的原料气体的浓度降低。其结果是供给原料气体浓度降低。另外，如图2所示，随着固体原料2的消耗进展，固体原料2的表面与通气管16的开ロ部16A的距离扩大，流过固体原料2的表面附近的运载气体比例变小，容器11内的上下方向的原料气体的浓度差进ー步变大。其结果是伴随固体原料2的消耗的供给原料气体的浓度的降低量变大。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这种状况而创立的，其目的在于，可抑制原料气体的浓度降低。本专利技术一方面的种原料气体发生装置，从由盖密闭的容器内的固体原料产生原料 气体，其特征在于，具备导入部件，其在前端部具有将用于输送原料气体的运载气体向容器内导入的第一开ロ部；扩散部件，其在所述原料的上方以堵塞第一开ロ部的方式设置，对导入到容器内的运载气体进行扩散，并具有第二开ロ部，该第二开ロ部使扩散的运载气体向垂直下方向喷出；排出部件，其将原料气体与运载气体一起从原料的上方向容器之外排出。本专利技术一方面中，从导入部件的第一开ロ部导入到容器内的运载气体通过扩散部件进行扩散，扩散的运载气体从扩散部件的第二开ロ部向垂直下方向喷出，原料气体与运载气体一起从原料的上方向容器之外排出。因此，能够抑制原料气体的浓度降低。该导入部件及排出部件例如由通气管构成。该扩散部件例如由含有烧结金属等扩散体的气体扩散部件构成。扩散部件的第二开ロ部配置于容器的水平方向的大致中央。由此，能够更有效地抑制原料气体的浓度降低。扩散部件可以具备多个第二开ロ部，多个第二开ロ部可以以容器的水平方向的中央为中心大致对称地配置。由此，能够更有效地抑制原料气体的浓度降低。根据本专利技术的一方面，能够抑制原料气体的浓度降低。附图说明图I是表示现有原料气体发生装置的构成之一例的图；图2是表示现有原料气体发生装置的构成之一例的图；图3是表示应用了本专利技术的原料气体发生装置的第一实施方式的图；图4是表示应用了本专利技术的原料气体发生装置的第一实施方式的图；图5是表示应用了本专利技术的原料气体发生装置的第二实施方式的图；图6是表示应用了本专利技术的原料气体发生装置的第二实施方式的图；图7是将现有原料气体发生装置和应用了本专利技术的原料气体发生装置的原料气体的浓度进行比较的图；图8是表示应用了本专利技术的原料气体发生装置的第三实施方式的9是表示气体扩散部件的开ロ部位置的例子的图；图10是表示气体扩散部件的开ロ部位置的例子的图。符号说明101原料气体发生装置102固体原料111 容器 112 盖113通气管115气体扩散部件115A 开ロ部116通气管131扩散体132 框201原料气体发生装置301原料气体发生装置311气体扩散部件311A 311D 开ロ部331a 331d 扩散体332 框具体实施例方式下面，对用于实施本专利技术的方式(下面，称为实施方式)进行说明。另外，以下面的顺序进行说明。I、第一实施方式2、第二实施方式3、第三实施方式4、变形例(I、第一实施方式)(原料气体发生装置101的构成例)图3是示意性表示应用了本专利技术的原料气体发生装置的第一实施方式的原料气体发生装置101的构成例的剖面图。原料气体发生装置101是对装入容器111内的固体原料102进行加热，从而产生CVD加工用的原料气体的装置。固体原料102例如由羰络金属等在从室温到50°C附近的环境下具有IhPa左右的较高的饱和蒸气压的粉末状物质构成。原料气体发生装置101构成包含圆筒形的容器111、圆板上的盖112、通气管113、阀114、气体扩散部件115、通气管116及阀117。容器111利用未图示的加热装置设定成适当的温度，固体原料102因容器111内的热量而蒸发，产生原料气体。盖112相对于容器111拆装自如，例如，在向容器111内填充固体原料102时，将盖112从容器111拆下。另外，以使容器111内的气体不向外部漏出的方式对容器111和盖112接触的部分实施气密封。另外，在盖112上以贯通垂直方向的方式设有通气管113及通气管116。通气管113用于将用于输送原料气体的运载气体向容器111内导入。另外，运载气体使用例如氩气等惰性气体。另外，在通气管113上设有阀114，能够使运载气体流通或截断运载气体。而且，在通气管113的前端设有气体扩散部件115。该气体扩散部件115由扩散体131及框132构成。 扩散体131由例如烧结金属构成，以将通气管113的前端的开ロ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种原料气体发生装置，从由盖密闭的容器内的固体原料产生原料气体，其特征在于，具备：导入部件，其在前端部具有将用于输送所述原料气体的运载气体向所述容器内导入的第一开口部；扩散部件，其在所述原料的上方以堵塞所述第一开口部的方式设置，对导入到所述容器内的所述运载气体进行扩散，并具有第二开口部，该第二开口部使扩散的所述运载气体向垂直下方向喷出；排出部件，其将所述原料气体与所述运载气体一起从所述原料的上方向所述容器之外排出。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：久住庸辅，尾崎公一，
申请(专利权)人：欧姆龙株式会社，
类型：发明
国别省市：