用于半导体器件的基于目标的虚拟插入制造技术

本发明专利技术提供了用于基于目标的虚拟插入的集成电路方法。一种方法包括提供集成电路(IC)设计布局；以及提供用于仿真IC设计布局上的热效应的热模型，热模型包括光学仿真和硅校验。该方法还包括：提供热模型和IC设计布局的卷积以生成IC设计布局的热图像轮廓；限定用于在热图像轮廓中优化热均匀性的热目标；将热目标与热图像轮廓进行比较以确定差异数据；以及基于差异数据对IC设计布局执行热虚拟插入，以提供基于目标的IC设计布局。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体领域，更具体地，涉及用于半导体器件的基于目标的虚拟插入。
技术介绍
在半导体制造厂中处理半导体晶片以在晶片的不同区域中形成各种集成电路(IC)0形成在半导体衬底上的集成电路包括多个半导体器件。采用各种半导体制造工艺来形成半导体器件，包括蚀刻、光刻、离子注入、薄膜沉积、和热退火。然而，在目前形成集成电路的制造方法中，应用于半导体晶片的热退火工艺在半导体器件的性能中引入了不均匀性。电性能在半导体晶片上形成的器件中是不同的，劣化了集成电路的整体质量。当半导体工艺技术发展到诸如65nm、45nm或30nm以下的先进技术节点时，该问题更加严重。因此，需要能够解决该问题的集成电路结构及其制造方法。
技术实现思路
本专利技术提供了各种广泛的实施例。一个实施例包括用于基于目标的虚拟插入的集成电路方法。该方法包括提供集成电路(IC)设计布局；以及提供用于仿真IC设计布局上的热效应的热模型，热模型包括光学仿真和硅校验。该方法还包括提供热模型和IC设计布局的卷积以生成IC设计布局的热图像轮廓；限定用于在热图像轮廓中优化热均匀性的热目标；将热目标与热图像轮廓进行比较以确定差异数据；以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路方法，包括：提供集成电路(IC)设计布局；提供用于仿真所述IC设计布局上的热效应的热模型，所述热模型包括光学仿真和硅校验；提供所述热模型和所述IC设计布局的卷积，以生成所述IC设计布局的热图像轮廓；限定用于优化整个所述热图像轮廓中的热均匀性的热目标；将所述热目标与所述热图像轮廓进行比较以确定差异数据；以及基于所述差异数据对所述IC设计布局执行热虚拟插入，以提供基于目标的IC设计布局。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑英周，罗博仁，刘文豪，欧宗桦，许志玮，黄文俊，刘如淦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：