半导体器件的清洁方法技术

本发明专利技术提供了一种方法，包括提供室，室具有第一入口和第二入口。将去离子(DI)水和酸(如，稀酸)的溶液通过第一入口提供到室。将载气(如，N2)通过第二入口提供到室。溶液和载气在室中，然后从室到达单个半导体晶圆上。在实施例中，溶液包括稀HCl和DI水。本发明专利技术还提供了一种半导体器件的清洁方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种。
技术介绍
本专利技术的实施例大体上涉及的是半导体器件的制造，尤其是在制造过程中半导体 晶圆的清洁方法。半导体器件制造发展的最近趋势包括将除了硅这种典型的选择之外的材料引入 用于形成该器件。例如，II1-V材料，如锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、InP、和InGaAs已经被使用 在先进的技术节点中。这些材料的优势在于具有更多的空穴或电子运动以及功函数调整。 因此，在使用先进的材料时(例如，在半导体器件的通道区域内)可以获得更好的性能。然而，引入新材料到典型的以硅为基础的制造工艺中是不无挑战的。问题之一是 新材料与传统应用的化学物质的相容性。例如，与通常使用的湿式清洁溶液的相容性必须 得到保证。因此，需要提供与使用在这些技术节点以及将来的技术节点中的材料相容性的 制造工艺。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造半 导体器件的方法，包括提供半导体晶圆；将混合有载气的清洁溶液分配到所述半导体晶 圆上，其中，所述清洁溶液是去离子水和酸。在该方法中，进一步包括在所述半导体晶圆上形成通道区域，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体晶圆；将混合有载气的清洁溶液分配到所述半导体晶圆上，其中，所述清洁溶液是去离子水和酸。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：叶明熙，庄国胜，张简瑛雪，杨棋铭，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：