分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器的制造方法技术

一种分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器的制作方法，包括：在半导体衬底上的刻蚀阻挡层上形成开口；在开口内侧壁形成偏移侧墙；以刻蚀阻挡层和偏移侧墙为掩膜在半导体衬底内形成沟槽；在沟槽内壁形成衬氧化层，形成嵌入所述衬氧化层的浮栅；去除偏移侧墙；在开口内壁形成隧道氧化层；在开口侧壁形成依次覆盖隧道氧化层的控制栅极、第一绝缘层；依次刻蚀隧道氧化层，浮栅和衬氧化层至暴露出沟槽底部，形成两个分离的结构单元；在半导体衬底内形成源极；在两个分离的结构单元的内侧壁形成第二绝缘层并填充第二传导层；去除刻蚀阻挡层；形成漏极。所述制作方法减小了制作掩膜的步骤，使器件的耦合率更加容易控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作
，具体涉及一种分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器的制造方法。
技术介绍
非易失性存储器(Non-volatile Memory, NVM)是一种具有M0S晶体管结构的存储单元，因具有可多次进行数据的存入，读取，抹除等特性，且存入的数据在断电之后也不会消失，因此被广泛应用于个人计算机和电子设备。然而，随着半导体组件朝小型化逐渐发展，存储器的尺寸也随着线宽减少而縮小，连带使得非挥发性存储器中的源极对浮置栅极的耦合率大幅降低。 通常，非易失性存储器一般包括源区、漏区、沟道区、控制栅和浮栅。浮栅结构是非易失性存储单元的MOS晶体管与普通MOS晶体管最主要的区别，其在这种存储单元结构中起到存储电荷的作用，使得存储单元在断电的情况下依然能够保持所存储的信息，从而使得这种存储器有非易失性的特点。目前，非易失性存储器的浮栅结构包括叠栅或分栅结构，参考附图l所示，为现有的一种分栅结构的非易失性存储器的结构示意图，所述的非易失性存储器包括半导体衬底10 ;位于半导体衬底10上的两个分离的结构单元，所述结构单元包括依次位于半导体衬底上的衬氧化层11、浮栅12、隔离介质层13本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的刻蚀阻挡层，在所述的刻蚀阻挡层上形成开口；在所述开口内侧壁形成偏移侧墙；以所述刻蚀阻挡层和偏移侧墙为掩膜，刻蚀半导体衬底，在半导体衬底内形成沟槽；在沟槽内壁形成衬氧化层，随后形成嵌入所述衬氧化层的浮栅；去除所述偏移侧墙；在所述刻蚀阻挡层的开口内壁形成隧道氧化层；在所述开口侧壁形成依次覆盖隧道氧化层的控制栅极、第一绝缘层；以所述刻蚀阻挡层和第一绝缘层为掩膜，依次刻蚀隧道氧化层，浮栅和衬氧化层至暴露出沟槽底部，形成两个分离的包括第一绝缘层、控制栅极，隧道氧化层，浮栅和衬氧化层的结构单元；以所述刻蚀阻挡层和第一...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江红，李冰寒，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]