SONOS存储器的制作方法技术

本发明专利技术提供一种ＳＯＮＯＳ存储器的制作方法，包括以下步骤：在衬底上依次淀积氧化硅层和氮氧化硅层；在所述氮氧化硅层上面涂一层光刻胶；去除部分所述光刻胶，形成逻辑区域；去除所述逻辑区域的氮氧化硅层；去除所述逻辑区域的底部氧化层；在所述氮氧化硅层及逻辑区域上面生长顶部氧化层；去除所述逻辑区域的顶部氧化层；生长栅氧化层；形成ＳＯＮＯＳ和逻辑区域的器件结构。本发明专利技术有效地避免了顶部氧化层发生损伤和在湿法刻蚀中发生侧向刻蚀，从而能够提高器件的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造工艺
，特别涉及一种s0n0s存储器的制 作方法。
技术介绍
光刻技术伴随集成电路制造工艺的不断进步，线宽的不断缩小，半导体 器件的面积正变得越来越小，半导体的布局已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路；由最初的ic (集成电路)随后到lsi(大规模集成电路)，vlsi (超大规模集成电路)，直至今天的ulsi (特大规模集成电路)，器件的面积进一步缩小，功能更为全面强大。考虑到工艺研发 的复杂性，长期性和高昂的成本等等不利因素的制约，如何在现有技术水平 的基础上进一步提高器件的集成密度，缩小芯片的面积，在同一枚硅片上尽 可能多的得到有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片设计者， 制造商的重视。在各种半导体技术中，湿法刻蚀技术由于其不会产生等离子损伤以及具 备高刻蚀选择比而在栅氧刻蚀、表面清洗等关键技术中扮演重要的角色。但是，这项技术有着一个重大问题即刻蚀各向同性，这意味着随着纵向刻蚀 的进行，其侧向刻蚀也同时发生，侧向刻蚀会导致器件表面尺寸变大，这在 小尺寸芯片中是无法忍受的，因此，如何防止湿法刻蚀的側向侵蚀就成为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＮＯＳ存储器的制作方法，其特征在于包括以下步骤：　在衬底上依次淀积第一氧化层和氮氧化硅层；　在所述氮氧化硅层上涂布光刻胶；　去除部分所述光刻胶，将衬底上未被光刻胶覆盖的区域设为逻辑区域；　用干法刻蚀去除所述逻 辑区域的所述氮氧化硅层；　用湿法刻蚀去除所述逻辑区域的所述第一氧化层；　去除剩余光刻胶，在上述结构表面生长第二氧化层；　用湿法刻蚀去除所述逻辑区域的第二氧化层；　在所述第二氧化层和所述逻辑区域表面生长栅氧化层；　 　在所述栅氧化层上淀积多晶硅，对所述逻辑区域的多晶硅进行光刻和刻蚀处...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱骏，李铭，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]