【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储领域,尤其涉及一种数据存储装置及使用块替换表的读写方法。
技术介绍
当前,NAND闪存技术的发展推动了SSD产业。如图1所示,SSD与主机之间使用高速串行接口如SATA,PICe等技术。内部由用于存储数据的一组NAND芯片,用于支持计算和缓存数据的DDRDRAM(内存),以及一个主控芯片(SSDController)组成,NAND中还存储逻辑地址与物理地址对照表。有时候还需要断电保护系统。NAND是一种整块读写的存储设备,最小可读取的单元叫页(page),最小可擦除的单元叫块(block),一个块往往由很多页组成,块擦除后里面的页可以进行单独的写入操作。写入操作很慢,比读取慢得多,而擦除操作又比写入更加慢得多。大部分NAND芯片要求,在一个块被擦除后,其页必须按顺序写入。一个块的相邻页写入之间,写另外块的页,则是允许的。由于擦写NAND非常费时,特别是重新写入整个block的内容。NAND芯片以及由其组成的存储系统,通常采用多通道平行写入提高系统的总写入带宽。一个存储装置中可能有很多NAND芯片,每一个芯片内常常封装了多个硅片,每个硅片有不同的Plane,每个Plane都是独立的通道,可以平行的写入。如图2所示,手机与计算机的文件操作方式如下:(1)应用软件向操作系统发出打开、关闭、读、写文件指令;(2)操作系统中的文件系统部分把读、写文件的指令转化为读、写存储块的指令;
【技术保护点】
一种数据存储装置,包括主机接口、主控芯片、用于存储数据的一个或多个NAND芯片以及MRAM,所述NAND芯片、所述MRAM分别与所述主控芯片连接,所述MRAM包括写缓存或读写缓存,其特征在于,所述MRAM还包括块替换表,所述块替换表用于存储每一个需要替换的块及其替换块。
【技术特征摘要】
1.一种数据存储装置,包括主机接口、主控芯片、用于存储数据的一个或多个NAND
芯片以及MRAM,所述NAND芯片、所述MRAM分别与所述主控芯片连接,所述MRAM
包括写缓存或读写缓存,其特征在于,所述MRAM还包括块替换表,所述块替换表
用于存储每一个需要替换的块及其替换块。
2.如权利要求1所述的数据存储装置,其特征在于,所述NAND芯片包括常规区与
备份区,所述常规区用于储存数据,所述备份区用于为常规区中需要替换的块提供
替换块,在文件系统中NAND页的逻辑地址与常规区中NAND页之间建立固定对应关
系。
3.如权利要求1所述的数据存储装置,其特征在于,所述需要替换的块包括每一
个所述NAND芯片的常规区中出厂时标定的坏块,以及每一个所述NAND芯片的常规
区中在使用过程中由于读写错误产生的坏块。
4.如权利要求1所述的数据存储装置,其特征在于,所述MRAM还包括擦除次数表,
擦除次数表用于存储所述NAND芯片中每个块的擦除次数,所述需要替换的块包括
每一个所述NAND芯片的常规区中擦写次数大于或等于预设擦写警戒值的块。
5.如权利要求1所述的数据存储装置,其特征在于,所述MRAM通过DDRDRAM接
口与所述数据存储装置的主控芯片连接,或者所述MRAM集成于所述数据存储装置
的主控芯片中。
6.如权利要求1所述的数据存储装置,其特征在于,所述MRAM还包括页替换表,
所述页替换表用于存储每一个需要替换的页及其替换页。
7.一种如权利要求1-6所述的数据存储装置的使用块替换表的读方法,包括以下
步骤:
(1)收到读NAND页指令;
(2)根据所述NAND页的逻辑地址,搜索所述NAND页是否在所述写缓存或读写缓
存中,如果在所述写缓存或读写缓存中,从所述写缓存或读写缓存中读取数据,执
行步骤(5);如果不在所述写缓存或读写缓存中,执行步骤(3);
(3)根据所述NAND页的逻辑地址,搜索块替换表判断所述NAND页所属的块是否
在所述块替换表中,如果在所述块替换表中,执行步骤(4);如果不在所述块替换
表中,执行步骤(5);
(4)从所述块替换表获取所述NAND页的物理地址,执行步骤(6);
(5)将所述NAND页的逻辑地址根据固定对应关系翻译成物理地址;
(6)根据所述NAND页的物理地址,从NAND芯片中读取所述NAND页数据;
(7)读操作结束。
8.如权利要求7所述的使用块替换表的读方法,其特征在于,步骤(6)中根据所
\t述NAND页的物理地址,从NAND芯片中读取所述NAND页数据之前还包括;搜索页
替换表判断所述NAND页是否在所述页替换表中,如果在所述页替换表中,用其替
换页的物理地址取代原来的物理地...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴瑾,郭一民,
申请(专利权)人:上海磁宇信息科技有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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