【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，包括：一基板，该基板具有一上端绝缘层与一上端传导层；一互作用层，该互作用层在该基板上面；一集成电路晶粒，该集成电路晶粒在该基板上面；一封装体，该封装体在该互作用层与该集成电路晶粒上面；以及一上端焊锡凸块，该上端焊锡凸块在该上端传导层上面，该上端焊锡凸块在一3D穿孔中，该3D穿孔为通过该封装体、该互作用层、与该上端绝缘层形成，用以暴露在该3D穿孔中的该上端传导层。【专利说明】相关申请案的交互参照本专利申请主张在2012年6月4日申请的美国临时专利申请案第61/655，431号的权益，其在此是以引用方式并入本文供参考。
本专利技术通常有关一种集成电路封装系统，更特别是，有关一种用于具有基板的集成电路封装系统的系统。
技术介绍
半导体芯片已变得日益增加地更复杂，且主要是受到使用在小型或可携式电子装置(诸如行动电话、智能电话、个人媒体系统、超轻便计算机)的较小芯片尺寸，增加处理能力需求的驱驶。有许多封装集成电路(IC, Integrated Circuit)晶粒的传统制程。经由范例,许多IC封装利用已从金属薄板冲印或蚀刻的金属导线架以提供对外部装...
【技术保护点】
一种制造集成电路封装系统的方法，该方法包括：提供一集成电路晶粒；囊封该集成电路晶粒在一封装体；施加一互作用层在该封装体上面；形成一基板在该互作用层上面，该基板具有一上端绝缘层与一上端传导层；形成一3D穿孔，该3D穿孔通过该封装体、该互作用层、与该上端绝缘层，用以暴露在该3D穿孔中的该上端传导层；以及沉积一上端焊锡凸块在该上端传导层上面的该3D穿孔中。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：Y·林，I·K·石，J·具，J·A·卡帕拉斯，
申请(专利权)人：星科金朋有限公司，
类型：发明
国别省市：
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