【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据存储器件的制造方法，特别涉及一种。请参考附图说明图1A，首先对P型硅基底100实施热氧化过程，如区域氧化法(LOCOS)来形成场绝缘层(未显示)，并借该场绝缘层来隔离出主动区。然后于主动区内的基底100表面，形成氧化硅作为第一绝缘层110。其次，于第一栅极绝缘层110上，以化学气相沉积法(CVD)沉积一层复晶硅层，并掺入适量的杂质以形成第一导电层115。接着，在第一导电层115表面沉积一层氮化硅层以形成第一遮蔽层120。请参考图1B，实施微影与蚀刻过程，移除部分的第一遮蔽层120以定义第一开口125，露出第一导电层115表面，残余的第一遮蔽层120以残留第一遮蔽层120，表示。接着进行氧化过程，使外露的第一导电层115表面形成氧化层，此氧化层以第一绝缘层130表示之。请参考图1C，以等向性蚀刻步骤去除残留第一遮蔽层120’之后，以第一绝缘层130为硬式遮蔽罩幕(hard mask)，实施非等向性蚀刻步骤，依序去除部分的第一导电层115与第一绝缘层110，留下第一绝缘层130以下的部分第一导电层115与第一绝缘层110，并露出基底100表面。...
【技术保护点】
一种快闪存储器的存储单元的制造方法，其特征在于，制造方法包括下列步骤： 提供半导体基底； 于该半导体基底表面形成主动区； 于主动区内的该基底表面形成第一绝缘层； 于该第一栅极绝缘层表面形成第一导电层； 于该第一导电层表面形成第一遮蔽层； 移除部分的该第一遮蔽层以定义第一开口，露出该第一导电层表面； 进行氧化过程，使外露的该第一导电层表面形成浮置栅氧化层； 去除相邻的前述浮置栅氧化层间的残留该第一遮蔽层，使原来位于其下的该第一导电层表面外露； 以该浮置栅氧化层与残留的第一遮蔽层为遮蔽罩幕，去除前述相邻的浮置栅氧化层间外露的...
【技术特征摘要】
1.一种快闪存储器的存储单元的制造方法，其特征在于，制造方法包括下列步骤提供半导体基底；于该半导体基底表面形成主动区；于主动区内的该基底表面形成第一绝缘层；于该第一栅极绝缘层表面形成第一导电层；于该第一导电层表面形成第一遮蔽层；移除部分的该第一遮蔽层以定义第一开口，露出该第一导电层表面；进行氧化过程，使外露的该第一导电层表面形成浮置栅氧化层；去除相邻的前述浮置栅氧化层间的残留该第一遮蔽层，使原来位于其下的该第一导电层表面外露；以该浮置栅氧化层与残留的第一遮蔽层为遮蔽罩幕，去除前述相邻的浮置栅氧化层间外露的部分该第一导电层与位于其正下方的该第一绝缘层，形成第二开口，并暴露该基底表面；于该第二开口内的该半导体基底表层形成源极区；于该浮置栅氧化层与残留的第一遮蔽层表面沉积第二绝缘层并填满该第二开口；以该第一遮蔽层为停止层，实施一平坦化过程，去除该第一遮蔽层表面上方的该第二绝缘层，仅保留该浮置栅氧化层上方与该第二开口内的部分；去除残留的该第一遮蔽层；以残留的该第二绝缘层为遮蔽罩幕，依序去除未被残留的该第二绝缘层覆盖的残留该第一导电层与残留第一绝缘层形成浮置栅与栅极绝缘层，同时暴露该基底表面，其中，残留的该第二绝缘层、栅极绝缘层与浮置栅，共同形成一长方体的浮置栅区，突出于该基底表面；形成第三绝缘层覆盖该基底的表面以及浮置栅区表面与侧壁；形成第二导电层覆盖该第三绝缘层；形成第四绝缘层覆盖该第二导电层；去除部分的该第四绝缘层，保留该第二导电层的侧壁部分，形成第一绝缘侧壁层；以该第一绝缘侧壁层为遮蔽罩幕，实施微影与蚀刻过程，依序去除部分的该第二导电层与第三绝缘层，于残留的该第二绝缘层的上方形成第三开口，于该浮置栅旁的该基底上方形成第四开口，其中残余的该第二导电层形成控制栅，残余的该第三绝缘层形成穿隧氧化层；于该第三开口与第四开口的侧壁，形成第二绝缘侧壁层；以及于第四开口底部的半导体基底表层形成漏极区。2.如权利要求1所述的快闪存储器的存储单元的制造方法，其特征在于所述的形成的该半导体基底是硅基底。3.如权利要求1所述的快闪存储器的存储单元的制造方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：林圻辉，黄仲麟，黄承智，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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