氮化物只读存储器存储单元的制造方法技术

一种氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其中，氮化物只读存储器元件包含阵列区和周边区。首先，提供衬底，并在衬底上形成氧化层；接着，在氧化层的上方形成周边区的多晶硅层；然后，形成图案化的周边多晶硅；接下来，在阵列区和周边区的衬底上方形成ＯＮＯ层；随后在ＯＮＯ层的上方形成阵列区的多晶硅层；再形成图案化的阵列多晶硅。本发明专利技术的氮化物只读存储器存储单元的制造方法可解决顶部氧化层的氧化物损失的问题，避免氮化硅层与多晶硅层接触，并减少埋入式漏极扩散。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种没有埋入式扩散区氧化物的不连续式。附图说明图1A为传统氮化物只读存储器存储单元的剖面图。图1A中的衬底10已被植入源极12及漏极14，在衬底10上方还形成有ONO结构，包括底部氧化物层18、顶部氧化物层16和夹在顶部氧化物层16与底部氧化物层18之间的氮化硅层17。然后，在ONO结构之间形成多个埋入式扩散区(BD)氧化物20，以隔离ONO结构并形成沟道22。在氮化物只读存储器存储单元的结构中，每一存储单元具有双位元，如图1A所示。较大区域(虚线大园圈出的较大范围)是氮化物只读存储器存储单元30，较小的两个区域(虚线小园圈出的较小范围)是第一位元32及第二位元34。一般而言，氮化物只读存储器元件可分为阵列区和周边区。而传统的制造方法是先进行阵列区的制作，再进行周边区的制作。首先，先将ONO层形成于整个阵列区，再根据既定图案进行蚀刻，图案转移完成后，植入源极/漏极，并形成埋入式漏极。接着进行周边区的制作，在周边区植入离子并构成离子阱。然后，去除周边区的ONO层，在埋入式漏极的上方形成氧化物，此氧化物即称为埋入式扩散区氧化物。周边区完成氧化后，淀积一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其中该氮化物只读存储器元件包括阵列区及周边区，该制造方法包括以下步骤： 提供衬底，并在其上形成一层氧化层； 在该氧化层的上方形成周边区的多晶硅层； 形成图案化的周边多晶硅； 在该阵列区和该周边区的衬底上方形成ＯＮＯ层； 在该ＯＮＯ层的上方形成阵列区的多晶硅层；以及 形成图案化的阵列多晶硅。

【技术特征摘要】
1.一种氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其中该氮化物只读存储器元件包括阵列区及周边区，该制造方法包括以下步骤提供衬底，并在其上形成一层氧化层；在该氧化层的上方形成周边区的多晶硅层；形成图案化的周边多晶硅；在该阵列区和该周边区的衬底上方形成ONO层；在该ONO层的上方形成阵列区的多晶硅层；以及形成图案化的阵列多晶硅。2.如权利要求1所述的氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其特征在于所述周边区的多晶硅层是以淀积方式或快速高温处理的热氧化过程而形成。3.如权利要求1所述的氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其特征在于所述形成该图案化的周边多晶硅的步骤包括以下步骤在该周边区的多晶硅层上形成图案化的光阻层；按照该图案化的光阻层蚀刻该周边区的多晶硅层；及移除该图案化的光阻层。4.如权利要求1所述的氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其特征在于所述ONO层包括顶部氧化层、氮化硅层及底部氧化层。5.如权利要求4所述的氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其特征在于所述位于该底部氧化层上方的该氮化硅层是以低压化学气相淀积的方式形成。6.如权利要求4所述的氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其特征在于所述位于该氮化硅层上方的该顶部氧化层是以氧化氮化硅、或高温淀积、或两者结合的方式形成。7.如权利要求1所述的氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其特征在于所述阵列区的多晶硅层是以淀积方式，或快速高温处理的热氧化过程而形成。8.如权利要求1所述的氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其特征在于所述阵列区的多晶硅层掺杂有磷。9.如权利要求1所述的氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其特征在于所述形成该阵列区的多晶硅层之后，再在其上方覆盖一层硅化金属层。10.如权利要求9所述的氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其特征在于所述硅化金属选自硅化钨(WSix)、硅化钛(TiSix)、硅化镍(NiSix)及硅化钴(CoSix)所组成的组。11.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国华，赖二琨，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]