快闪存储器的存储单元的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种快闪存储器的存储单元的制造方法，主要于半导体基底表面依序形成第一绝缘层、第一导电层与垫层，移除部分的垫层形成第一开口，于第一开口的侧壁形成导电侧壁层亦即尖端，去除部分的垫层、第一导电层、第一绝缘层与基底以形成第二开口，以第二绝缘层填满第一开口与第二开口，形成第一栅极绝缘层与浅沟槽隔离区，再以第一栅极绝缘层为硬式罩幕，去除部分的第一导电层与第一绝缘层，形成浮置栅极与第二栅极绝缘层，于浮置栅极表面形成穿隧氧化层与控制栅，然后再形成源／漏极区。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据存储器件的制造方法，特别涉及一种。请参考附图说明图1A，首先对P型硅基底100实施热氧化过程，如区域氧化法(LOCOS)来形成场绝缘区105，并借该场绝缘区来隔离出主动区(ActiveArea)107。请参考图1B，本图是根据图1A中A-A’剖面线所绘制的剖面图，于主动区107内的基底100表面，形成氧化硅作为第一绝缘层110。其次，于第一绝缘层110上，以化学气相沉积法(CVD)沉积一层复晶硅层，并掺入适量的杂质以形成第一导电层115。接着，在第一导电层115表面沉积一层氮化硅层形成第一遮蔽层(masking layer)120，以做为硬式罩幕(hard mask)。请参考图1C，移除部分的第一遮蔽层120以定义第一开口125，露出第一导电层115表面，剩余的第一遮蔽层120以残留第一遮蔽层120’。请参考图1D，接着进行氧化过程，使外露的第一导电层115表面形成浮置栅极氧化层130。请参考图1E，以等向性蚀刻步骤去除第一遮蔽层120之后，以浮置栅极氧化层130为硬式罩幕，实施非等向性蚀刻步骤，依序去除部分的第一导电层115与第一绝缘层110，留下浮置栅极氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快闪存储器的存储单元的制造方法，其特征在于，制造方法包括下列步骤： 提供半导体基底； 于该半导体基底表面形成第一绝缘层； 于该第一绝缘层表面形成第一导电层； 于该第一导电层表面形成垫层； 去除部分的该垫层以形成第一开口，暴露出该第一导电层表面； 形成第二导电层于该垫层表面与该第一开口的侧壁及底部； 去除覆盖于该垫层表面与该第一开口底部的该第二导电层，残留于该第一开口侧壁的该第二导电层形成导电侧壁层，此导电侧壁层的顶部尖锐的部分即为尖端； 依序去除部分的该垫层、第一导电层、第一绝缘层与基底，形成第二开口； 形成第二绝缘层填满该第一开口与该...

【技术特征摘要】
1.一种快闪存储器的存储单元的制造方法，其特征在于，制造方法包括下列步骤提供半导体基底；于该半导体基底表面形成第一绝缘层；于该第一绝缘层表面形成第一导电层；于该第一导电层表面形成垫层；去除部分的该垫层以形成第一开口，暴露出该第一导电层表面；形成第二导电层于该垫层表面与该第一开口的侧壁及底部；去除覆盖于该垫层表面与该第一开口底部的该第二导电层，残留于该第一开口侧壁的该第二导电层形成导电侧壁层，此导电侧壁层的顶部尖锐的部分即为尖端；依序去除部分的该垫层、第一导电层、第一绝缘层与基底，形成第二开口；形成第二绝缘层填满该第一开口与该第二开口，分别形成第一栅极绝缘层与浅沟槽隔离区；去除残留的该垫层，暴露出该第一导电层表面；以该第一栅极绝缘层为硬式罩幕，依序去除未被该第一栅极绝缘层与该导电侧壁层所遮蔽的该第一导电层与该残留第一绝缘层，保留位于该第一栅极绝缘层与该导电侧壁层下方的部分，剩余的残留该第一导电层即为浮置栅极，剩余的残留该第一绝缘层即为第二栅极绝缘层，该第一栅极绝缘层、导电侧壁层、浮置栅极与第二栅极绝缘层以栅极区表示；形成第三绝缘层覆盖该基底表面与该栅极区的表面及侧壁；形成第三导电层覆盖该第三绝缘层；去除该栅极区的上方及其侧边的部分该第三导电层与第三绝缘层，形成第三开口，同时于栅极区的另一侧形成第四开口，残余的该第三导电层形成控制栅，残余的该第三绝缘层则形成穿隧氧化层；于该第三开口底部的该基底表层形成源极区；形成第四绝缘层覆盖该控制栅表面，并均匀地覆盖该第三开口与第四开口的侧壁与底部；去除部分的该第四绝缘层，于该第三开口与第四开口的侧壁形成绝缘侧壁层；以及于该第四开口底部的该基底表层形成漏极区。2.如权利要求1所述的快闪存储器的存储单元的制造方法，其特征在于所述的形成的该半导体基底是硅基底。3.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：林圻辉，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]