闪速存储器件的制造方法技术

一种闪速存储器件的制造方法，其特征在于，包括：　　　　（ａ）在半导体衬底上形成闪速存储单元的工序；以及　　　　（ｂ）在上述闪速存储单元上形成第１层间绝缘膜的工序，　　　　在上述工序（ｂ）中，作为热处理，至少进行１次以上的炉内退火。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性半导体存储器件，特别是涉及。
技术介绍
随着半导体器件的微细化，为抑制决定半导体元件的电学特性的杂质扩散，有缩短半导体器件制造工序中的热处理时间的趋势。因此，对这种热处理通常采用了可进行短时间热处理的灯光退火。另一方面，作为需要较长时间的热处理，已知有炉内退火(FA)(对电极的炉内退火也往往称为“烧结(sinter)”)。灯光退火是通过对加热对象直接照射辐射光进行短时间加热的退火，与此相对照，炉内退火是通过将加热对象暴露于规定温度的气氛中比较缓慢地进行加热的退火。在作为非易失性半导体存储器件的闪速存储器件的制造中，对上述趋势无例外地将灯光退火用于例如层间绝缘膜的热处理中。另外，作为对闪速存储单元所具有的浮置栅电极的热处理，还存在通过进行炉内退火的热处理来抑制闪速存储单元的各种特性的分散性，同时实现数据保持特性提高的技术(例如特许文献1)。特开2001-127178号公报(第3页，图1)作为决定闪速存储器件性能的重要因素，有“可改写次数”。增加可改写次数，即改善耐改写性能是闪速存储器件的重要课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供可以改善闪速存储器件的耐改写本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪速存储器件的制造方法，其特征在于，包括(a)在半导体衬底上形成闪速存储单元的工序；以及(b)在上述闪速存储单元上形成第1层间绝缘膜的工序，在上述工序(b)中，作为热处理，至少进行1次以上的炉内退火。2.如权利要求1所述的闪速存储器件的制造方法，其特征在于上述第1层间绝缘膜为多层结构，在上述工序(b)中，上述炉内退火在上述多层结构的最上层形成后进行。3.如权利要求1所述的闪速存储器件的制造方法，其特征在于上述炉内退火的温度在600℃以上。4.一种闪速存储器件的制造方法，其特征在于包括(a)在半导体衬底上形成闪速存储单元的工序；(b)在上述闪速存储单元的上方形成含金属的布线的工序；以及(c)在上述布线上形成第2层间绝缘膜的工序，在上述工序(c)中，作为热处理，至少进行1次以上的炉内退火。5.如权利要求4所述的闪速存储器件的制造方法，其特征在于上述第2层间绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：光平规之，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：