用于制造半导体集成电路器件的方法技术

在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个ＷＮ↓［ｘ］膜和一个Ｗ膜的多金属结构的栅电极７Ａ之后，当执行使栅绝缘膜６再生的氧化处理时，在使各栅电极７Ａ的侧壁上的氧化钨２７还原的条件下，使晶片１加热和冷却。结果，使晶片１的表面上淀积的氧化钨２７的量减少。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造半导体集成电路器件的技术。更具体地说，本专利技术涉及一种有效地适用于制造一种具有多金属结构的MISFET(金属绝缘体半导体场效应晶体管)的半导体集成电路器件的技术，其中各栅电极由多晶硅和耐熔金属的叠层组成。
技术介绍
Japanese Unexamined Patent Publication No.Hei 11(1999)-31666公开了一种用于形成多金属结构的MISFET的改进技术。该出版物公开了一种技术，其中使钨表面上形成的天然氧化物一次还原，然后执行所希望的热处理，以便阻止在热处理期间由于还原处理而引起的布线渐细和针状晶体的生长。然而，Japanese Unexamined Patent Publication No.Hei 11(1999)-26395公开了以下技术，作为使栅电极边缘处电场集中减弱的措施将一个栅电极按W/WSixNy/WOx结构形成，并且在还原气氛中经受热处理，从而使WOx还原，并且结果，使栅电极底端制成圆形。此外，Japanese Unexamined Patent Publication No.2000-331978公开了以下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体集成电路器件的方法，包括如下步骤：　　　　（ａ）在一个晶片的第一主表面上形成一个耐熔金属膜；　　　　（ｂ）在使所述耐熔金属的氧化物还原的条件下，将其上形成有所述耐熔金属膜的所述晶片的所述第一主表面加热到６００摄氏度或更高的第一温度；以及　　　　（ｃ）在不使所述耐熔金属膜氧化的条件下，在一种含有氢和从氧和氢催化合成的湿气的混合气氛中，在所述第一温度下，使含有硅作为主要成分的所述晶片的所述第一主表面上的一部分经受氧化处理。

【技术特征摘要】
JP 2001-3-12 69514/011.一种用于制造半导体集成电路器件的方法，包括如下步骤(a)在一个晶片的第一主表面上形成一个耐熔金属膜；(b)在使所述耐熔金属的氧化物还原的条件下，将其上形成有所述耐熔金属膜的所述晶片的所述第一主表面加热到600摄氏度或更高的第一温度；以及(c)在不使所述耐熔金属膜氧化的条件下，在一种含有氢和从氧和氢催化合成的湿气的混合气氛中，在所述第一温度下，使含有硅作为主要成分的所述晶片的所述第一主表面上的一部分经受氧化处理。2.按照权利要求1的用于制造半导体集成电路器件的方法，还包括步骤(d)，以在所述步骤(c)之后，在使所述耐熔金属膜的还原条件下，将所述晶片的所述第一主表面冷却到小于500摄氏度的第二温度。3.按照权利要求2的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述第二温度为400摄氏度。4.按照权利要求3的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述第二温度为300摄氏度。5.按照权利要求4的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述第二温度为200摄氏度。6.按照权利要求5的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述第二温度为100摄氏度。7.按照权利要求6的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述第二温度在70摄氏度至20摄氏度的范围之内。8.按照权利要求1的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中含有硅作为主要成分的所述部分包括一个含有硅作为主要成分的硅基表面区，它至少构成所述晶片的所述第一主表面的一部分，和一个在所述晶片的所述第一主表面上的含有硅作为主要成分的硅基膜区。9.按照权利要求8的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述混合气氛的压力为常压或降至次大气压区。10.按照权利要求9的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述混合气体含有氮气、氩气或氦气。11.按照权利要求1的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述耐熔金属膜含有钼或钨作为主要成分。12.一种用于制造半导体集成电路器件的方法，包括如下步骤(a)在一个晶片的第一主表面上形成一个耐熔金属膜；(b)在使所述耐熔金属膜的氧化物还原的条件下，用灯加热将其上形成有所述耐熔金属膜的所述晶片的所述第一主表面加热到600摄氏度或更高的第一温度；以及(c)在不使所述耐熔金属膜氧化的条件下，在一种含有氢和湿气的混合气氛中，在所述第一温度下，使含有硅作为主要成分的所述晶片的所述第一主表面上的一部分经受氧化处理。13.按照权利要求12的用于制造半导体集成电路器件的方法，还包括步骤(d)，在所述步骤(c)之后，在使所述耐熔金属膜的还原条件下，将所述晶片的所述第一主表面冷却到小于500摄氏度的第二温度。14.按照权利要求13的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述第二温度为400摄氏度。15.按照权利要求14的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述第二温度为300摄氏度。16.按照权利要求15的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述第二温度为200摄氏度。17.按照权利要求16的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述第二温度为100摄氏度。18.按照权利要求17的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述第二温度在70摄氏度至20摄氏度的范围之内。19.按照权利要求12的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中含有硅作为主要成分的所述部分包括一个含有硅作为主要成分的硅基表面区，它至少构成所述晶片的所述第一主表面的一部分，和一个在所述晶片的所述第一主表面上的含有硅作为主要成分的硅基膜区。20.一种用于制造半导体集成电路器件的方法，包括如下步骤(a)在一个晶片的第一主表面上形成一个包括一个耐熔金属膜的膜图形；(b)在使所述耐熔金属膜的氧化物还原的条件下，将包括其上形成的所述膜图形的所述晶片的所述第一主表面加热到600摄氏度或更高的第一温度；以及(c)用化学汽相淀积在所述第一温度下在包括其上形成的所述膜图形的所述晶片的所述第一主表面上形成一个绝缘膜。21.按照权利要求20的用于制造半导体集成电路器件的方法，其中所述绝缘膜为氮化硅膜。22.按照权利要求20的用于制造半导体集成电...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本直树，木村绅一郎，朴泽一幸，内山博之，铃木范夫，西谷英辅，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]