具铅直MOS晶体管之DRAM胞元排列及其制造方法技术

沿着内存胞元矩阵的某一行（ｃｏｌｕｍｎ）所排列的信道区域（６）乃是一被闸极介电层（９）所围绕的肋条（７）之一部分。属于某列（ｒｏｗ）的ＭＯＳ晶体管之闸电极（１１，１２）则是一类似条状之字符线（１０）的一部份，以致于在该内存胞元矩阵的每个交叉点都各具有一伴随着联合字符线（１０）之闸电极（１１，１２）的铅直双闸极ＭＯＳ晶体管，其中该联合字符线（１０）系位于联合肋条（７）两侧上的沟渠（５）之中。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本案系为一与具有铅直MOS晶体管之DRAM胞元排列及其制造方法有关的专利技术，其中该晶体管并不具有任何浮体(floating bodies)但却为完全空乏者。当前，在一DRAM胞元排列中所使用的内存胞元，例如一动态的半导体内存，几乎都是单一晶体管的内存胞元，其系已为众所皆知之装置并且具有一MOS选择晶体管以及一电容器。在内存胞元内的信息乃是以电荷的形式储存于该电容器之中。该电容器以在该晶体管透过一字符线而被驱动之时该电容器的电荷便可透过一位线而被读出的方式来与该晶体管相连接。一般而言，制作出一具有高封包密度的DRAM胞元排列乃是努力的方向之一。就此观点来看，把MOS晶体管设计成铅直晶体管将是有利的，其中在该铅直晶体管之中的源极、信道区域以及汲极乃彼此相叠。一此类型的MOS晶体管仅占有与频道长度无关的小空间。再者，把每个内存胞元的铅直晶体管及其相联合在一起的电容器以彼此相互铅直地排列在一半导体基板上则是另一努力方向。一包含大量此类型内存胞元的排列已为人所知，例如，可由专利案DE 4,430,483 A1之中获知。每个内存胞元具有一类似柱状且铅直排列地选择晶体管与一电流频道，其中该选择晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有铅直ＭＯＳ晶体管的ＤＲＡＭ胞元排列，－系包含一内存胞元的排列矩阵，其中每个内存胞元各具有一ＭＯＳ晶体管以及一与该ＭＯＳ晶体管相连结的电容器（１８，１９，２０），其中该ＭＯＳ晶体管各具有以层状而由上至下相互堆栈的一上部源极／汲极区域（４）、一信道区域（６）以及一下部源极／汲极区域（１５），－其中该内存胞元矩阵之ＭＯＳ晶体管的信道区域（６）系被排列于列（ｒｏｗ）以及行（ｃｏｌｕｍｎ）之中，且沿着其中一行（ｃｏｌｕｍｎ）所排列的信道区域（６）系为在一基板（１）中水平运作之肋条（７）的一部份，－其中每个肋条（７）的两侧系分别被一闸极介电层（９）所围绕并且是位在该上部源极／汲极（４）之上，－其中...

【技术特征摘要】
DE 2001-5-29 10125967.01.一种具有铅直MOS晶体管的DRAM胞元排列，-系包含一内存胞元的排列矩阵，其中每个内存胞元各具有一MOS晶体管以及一与该MOS晶体管相连结的电容器(18，19，20)，其中该MOS晶体管各具有以层状而由上至下相互堆栈的一上部源极/汲极区域(4)、一信道区域(6)以及一下部源极/汲极区域(15)，-其中该内存胞元矩阵之MOS晶体管的信道区域(6)系被排列于列(row)以及行(column)之中，且沿着其中一行(column)所排列的信道区域(6)系为在一基板(1)中水平运作之肋条(7)的一部份，-其中每个肋条(7)的两侧系分别被一闸极介电层(9)所围绕并且是位在该上部源极/汲极(4)之上，-其中沿着该内存矩阵之某一列(row)所排列的MOS晶体管之闸电极(11，12)系为一类似条状之字符线(10)的一部份，该字符线(10)系与位在该肋条(7)之上的该列(row)相平行而运作，并自上方开始充填沿着行(column)方向的肋条(7)之间而产生的沟渠(5)，直到其超出该字符线(10)之宽度，-以致于在内存胞元矩阵的每个交叉点都有一具有联合字符线(10)的闸电极(11，12)的铅直双闸极MOS晶体管，其中该联合字符线(10)系位于联合肋条(7)的两侧上之沟渠(5)之中。2.如权利要求第1项所述的DRAM胞元排列，-其中每个内存胞元各具有一电容器(18，19，20)，其堆栈于该MOS晶体管之下并且电连结于下部源极/汲极区域(15)，-而且其中还有一金属位线(23)在沿着某一行(column)并与其平行而排列的MOS晶体管之上运作，其中该金属位线系设于该字符线(10)之上并且与联合MOS晶体管之上部源极/汲极区域(4)电连结。3.如权利要求第2项所述的DRAM胞元排列，其中一排列于该电容器(18，19，2...

【专利技术属性】
技术研发人员：B李，T施莱塞，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]