【技术实现步骤摘要】
技术介绍
专利
本专利技术涉及一种对基片进行平面化抛光的装置，特别涉及用于对诸如半导体晶片之类的基片进行化学抛光以使其平面化的装置。
技术介绍
在早期的抛光装置中，待抛光的基片被夹持在基片托板的下表面。然后，为了抛光基片，在基片与抛光垫之间建立一种相对运动的同时，对抛光垫的抛光表面供给抛光稀浆，将基片压贴在抛光垫上。基片托板上设置了一种保持环，用于避免在抛光过程中，基片从基片托板的下表面移位。基片被保持环环绕，以保持基片在基片托板上处于应有位置。但是，当在弹性抛光垫上进行抛光时，在工件的外周边缘发生过度抛光，产生称为“边缘倒圆”的结果。为了消除这种边缘倒圆的结果，将保持环压贴在抛光垫上，使保持环的外周边略微向下褶曲。在传统的抛光装置中，例如在上述装置中，虽然采用将保持环压贴在抛光垫上的方法，解决边缘倒圆的问题，从而使被抛光的工件表面的最终精度提高，仍然导致抛光稀浆在被抛光工件表面上的不良分布，这使得抛光速度降低，因此降低生产率。这种倾向在被抛光表面是金属膜时特别明显。因此，传统的抛光装置不适于做高速抛光，高速抛光需要对被抛光表面供给大量的抛光稀浆。近来，已经开发...
【技术保护点】
一种抛光装置，其包括：第一抛光台，其具有第一抛光表面；基片托板，用于夹持基片，并将基片定位，使基片的一个表面与第一抛光表面接触；加压装置，用于使基片的表面压贴在第一抛光表面上，该基片已经由基片托板将其与第一抛光表面接 触；保持环，其安装在基片托板上，以环绕基片，该基片已经被加压装置压贴在第一抛光表面上；保持环位置调节装置，用于使保持环相对于基片沿朝向或远离第一抛光表面的方向可调节地定位，该基片已经被压贴在第一抛光表面上。
【技术特征摘要】
JP 2001-5-29 161393/20011.一种抛光装置，其包括第一抛光台，其具有第一抛光表面；基片托板，用于夹持基片，并将基片定位，使基片的一个表面与第一抛光表面接触；加压装置，用于使基片的表面压贴在第一抛光表面上，该基片已经由基片托板将其与第一抛光表面接触；保持环，其安装在基片托板上，以环绕基片，该基片已经被加压装置压贴在第一抛光表面上；保持环位置调节装置，用于使保持环相对于基片沿朝向或远离第一抛光表面的方向可调节地定位，该基片已经被压贴在第一抛光表面上。2.如权利要求1所述的抛光装置，其中抛光装置还包括具有第二抛光表面的第二抛光台；基片托板能够使被基片托板夹持的基片运动，以有选择地使基片与第一或第二抛光表面接触；加压装置能够对基片加压，使基片压贴在第二抛光表面上，该基片已经与第二抛光表面接触；和保持环位置调节装置能够使保持环相对于基片沿朝向或远离第二抛光表面的方向可调节地定位，该基片已经被压贴在第二抛光表面上。3.如权利要求2所述的抛光装置，其中第一抛光表面比第二抛光表面更硬。4.如权利要求2所述的抛光装置，其中第一抛光台具有固定磨料，该固定磨料设置在该抛光台上，并限定第一抛光表面；第二抛光台具有抛光垫，该抛光垫设置在该抛光台上，并限定第二抛光表面。5.如权利要求2-4其中之一所述的抛光装置，其中第一和第二抛光台的至少其中之一包括一终点传感器，用于传感被压贴在该抛光台上的基片已经抛光到预定的抛光量。6.如权利要求1所述的抛光装置，其中加压装置包括基片加压元件，其设置在基片托板的基片夹持侧，并在基片夹持侧与夹持在其上的基片之间限定一可充气膨胀的空腔；和增压流体供给系统，用于向可充气膨胀空腔供给增压流体；保持环，其被紧固在基片托板上；和保持环位置调节装置，能够使保持环相对于基片沿朝向或远离第二抛光表面的方向可调节地定位，由于增压流体导入可充气膨胀空腔使可充气膨胀空腔充气膨胀，该基片已经被基片加压元件压贴在第一抛光表面上。7.如权利要求2-6其中之一所述的抛光装置，其中加压装置包括加压元件，其设置在基片托板的基片夹持侧，并在基片夹持侧与夹持在其上的基片之间限定一可充气膨胀的空腔；和增压流体供给系统，其向可充气膨胀空腔供给增压流体；保持环，其被紧固在基片托板上；和保持环位置调节装置，能够使保持环相对于基片沿朝向或远离第二抛光表面的方向...
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