【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更具体地说，涉及用于将 诸如半导体晶片的基板抛光(研磨)至平镜面光洁度的抛光装置 和抛光方法。
技术介绍
近年来，半导体器件已经变得更加集成化，并且半导体元件 的结构已经变得更加复杂。此外，用于逻辑系统的多层互连结构 中的层数己经增加。因此，半导体器件的表面上的不平整度被增 加，以至于半导体器件的表面上的阶高趋向于变大。这是因为， 在半导体器件的制造过程中，在半导体器件上形成薄膜，然后在 半导体器件上进行微加工处理，例如形成图案或形成孔，并且重 复这些加工处理以在半导体器件上形成随后的薄膜。当半导体器件的表面上的不平整度的值增加时，下面的问题 会出现。当在半导体器件上形成薄膜时，在具有台阶的部分所形 成的薄膜的厚度相对较小。此外，断路可由互连结构的脱离连接 而产生，或者短路可由互连层之间的绝缘不足而产生。结果，不 能获得优质产品，并且产量趋向于降低。此外，即使半导体器件 最初正常工作，在长时间的使用之后半导体器件的可靠性会降低。 在光刻处理中的曝光时，如果照射表面是不平整的，那么曝光系统中的透镜单元无法局部聚焦。因此，如果半导体器件的表面的 不平...
【技术保护点】
一种抛光装置，包括： 抛光部分，其被构造成用于抛光基板，其中所述基板具有包含上层和下层的多个层叠式膜； 测量部分，其被构造成测量形成于所述基板上的膜的厚度； 接口，其被构造成输入形成于待抛光的基板上的膜的期望厚度；和 运算单元，其可操作，以基于所述期望厚度和用于所述上层与用于所述下层的抛光速度之比或者基于所述测量部分的信号来计算用于所述多个层叠式膜中的至少一个的抛光速度和最佳抛光时间。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木达也，山田直史，胜间田好文，清水展，津野成亮，三谷隆，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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