抛光工件的抛光装置及方法制造方法及图纸

抛光装置能够改变浆料的ｐＨ值以调整抛光速率并且使用较高的平面度抛光工件。该抛光装置包括：压力容器；在压力容器中配备的抛光板；将工件挤压到抛光板上的挤压板；相对于挤压板移动抛光板从而抛光工件的驱动装置；向压力容器中供应碱性气体或酸性气体的气体供应源；从压力容器释放所供应气体的气体释放部；以及向抛光板上供应浆料的浆料供应装置。可以通过在浆料中溶解碱性气体或酸性气体来调整浆料的ｐＨ值。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种抛光工件例如硅片的抛光装置及方法。
技术介绍
在用于抛光工件例如硅晶片的传统抛光装置中，并没有对装置或其抛磨部分的氛围条件，例如压力、温度、湿度进行专门的控制。因此，尤其是在化学-机械抛光装置中，不能获得稳定的加工特性。为了解决该问题，本专利技术的专利技术者已经专利技术了一种压力容器型的抛光装置，该装置具有一个压力容器，该压力容器的氛围状况是可以控制的(参见日本专利公报No.2003-225859)。该抛光装置能够改善抛磨效率。 在化学-机械抛光情形中，浆料的酸碱(pH)值极大地影响到产品的抛光速率和质量。在传统的开式抛光装置中，浆料的pH值会随着所处氛围条件而很灵敏地变化。因此，很难精确地控制浆料的pH值。 另外，在化学-机械抛光的情形下，在经一次抛光垫修磨后通常需要花2至7分钟才获得正常的加工特性。在打磨抛光垫以后，使用纯水清洗抛光垫的一个表面，所以要花费很长时间来由此完全去除所使用的浆料。尤其是，在化学-机械抛光处理过程中改变为不同类型的浆料的情况下，需要花费10分钟或更多时间来完全更换浆料。 尤其是，在压力容器型抛光装置中，必须快速地变换抛光条件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光装置，包括：压力容器，具有打开或关闭所述压力容器的盖；在所述压力容器中配备的抛光板；在所述抛光板上配备的挤压板，所述挤压板将已经设置在所述抛光板和挤压板之间的工件挤压到抛光板上；相对于所述挤压板移动所 述抛光板从而抛光工件的一个驱动装置；连接到所述压力容器上的一个气体供应源，所述气体供应源向所述压力容器中供应一种碱性气体或一种酸性气体；从所述压力容器释放所供应气体的一个气体释放部；和向所述抛光板上供应浆料的一个浆料 供应装置，其中，通过在浆料中溶解碱性气体或酸性气体来调整浆料的ｐ...

【技术特征摘要】
JP 2003-11-20 2003-390677;JP 2003-11-20 2003-390691.一种抛光装置，包括压力容器，具有打开或关闭所述压力容器的盖；在所述压力容器中配备的抛光板；在所述抛光板上配备的挤压板，所述挤压板将已经设置在所述抛光板和挤压板之间的工件挤压到抛光板上；相对于所述挤压板移动所述抛光板从而抛光工件的一个驱动装置；连接到所述压力容器上的一个气体供应源，所述气体供应源向所述压力容器中供应一种碱性气体或一种酸性气体；从所述压力容器释放所供应气体的一个气体释放部；和向所述抛光板上供应浆料的一个浆料供应装置，其中，通过在浆料中溶解碱性气体或酸性气体来调整浆料的pH值。2.如权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，还包括一个压力源，用于向所述压力容器中供应或从所述压力容器中抽吸与碱性气体和酸性气体不同的增压气体，从而增大或减小所述压力容器的内部压力。3.如权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，还包括用于检测浆料的pH值的pH检测装置。4.如权利要求2所述的抛光装置，其特征在于，还包括用于检测浆料的pH值的pH检测装置。5.一种抛光装置，包括压力容器，具有打开或关闭所述压力容器的盖；在所述压力容器中配备的抛光板；在所述抛光板上配备的挤压板，所述挤压板将已经设置在所述抛光板和挤压板之间的工件挤压到抛光板上；相对于所述挤压板移动抛光板从而抛光工件的一个驱动装置；连接到所述压力容器上的一个气体供应源，所述气体供应源向所述压力容器中供应一种碱性气体或一种酸性气体；从所述压力容器释放所供应气体的一个气体释放部；和向所述抛光板上供应纯水的一个纯水供应装置，其中，通过在纯水中溶解碱性气体或酸性气体以将纯水用作浆料而来调整纯水的pH值。6.如权利要求5所述的抛光装置，其特征在于，还包括一个压力源，用于向所述压力容器中供应或从所述压力容器中抽吸与碱性气体和酸性气体不同的增压气体，从而增大或减小所述压力容器的内部压力。7.如权利要求5所述的抛光装置，其特征在于，还包括用于检测纯水的pH值的pH检测装置。8.如权利要求6所述的抛光装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：土肥俊郎，A菲里迫西安，D德那笛斯，
申请(专利权)人：土肥俊郎，不二越机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]