基板的支承板以及支承板的剥离方法技术

本发明专利技术的目的在于提供在半导体晶片等基板被薄板化之后，能够在短时间内向粘合支承板与基板的粘合层中供给溶剂的支承板，以及使用了该支承板的剥离方法。解决上述问题的方法为，使支承板２的直径比半导体晶片Ｗ的更大，形成有贯通孔３，并且外缘部分为未形成贯通孔的平坦部４。当从该支承板２上方注入作为溶剂的醇时，醇穿过支承板２的贯通孔３到达粘合剂层１将粘合剂层１溶解除去。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在使半导体晶片等基板薄板化时用于支撑而粘合在基板上的支承板，以及该支承板的剥离方法。
技术介绍
IC卡以及移动电话正要求薄型化、小型化、轻量化，为满足此要求，就必须对其中所使用的半导体芯片使用厚度薄的半导体芯片。为此，作为半导体芯片的基础的晶片的厚度在现在为125μm～150μm，而一般认为下一代芯片中所使用的晶片厚度必须是25μ～50μm。迄今为止，半导体晶片的薄板化需要经过图7所示的步骤。即，在半导体晶片的回路(元件)形成面(A面)粘附一个保护带，将其反转并使用研磨机磨削半导体晶片的内面(B面)使其薄板化，将该薄板化的半导体晶片的内面固定在保持在切割框架内的切割带上，在这种状态下将覆盖半导体晶片的回路(元件)形成面(A面)的保护带剥离，然后能够使用切割装置将各个芯片逐个切开。专利文献1中公开了上述方法。并且，在专利文献1中使用耐热性保护带作为保护带，从而能在剥离时在该保护带的一端粘附强粘附性片，并从薄板化的半导体晶片上将保护保护带剥离下来。此外，在专利文献2中，记载了使用在氮化铝和氮化硼气孔烧结体中浸渍梯型硅酮低聚物的保护基板代替保护带，使用热塑性的薄膜将该保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板的支承板，该支承板是在半导体晶片等的基板薄板化时粘合到基板上的，其特征在于该支承板有与基板相同的直径或者比基板更大的直径，且在厚度方向形成多个溶剂穿过的贯通孔。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-1 402206/03;JP 2004-10-6 293158/04;JP 21.一种基板的支承板，该支承板是在半导体晶片等的基板薄板化时粘合到基板上的，其特征在于该支承板有与基板相同的直径或者比基板更大的直径，且在厚度方向形成多个溶剂穿过的贯通孔。2.如权利要求1所述的基板的支承板，其特征在于该支承板的直径比基板的更大，在外缘区域，比与上述基板的边缘部分相接触部分更外侧的部分是未形成贯通孔的平坦部。3.如权利要求1所述的基板的支承板，其中，该支承板是由热膨胀系数为1.5×10-6以下的低热膨胀材料所形成的。4.如权利要求1所述的基板的支承板，其中，该支承板是由Ni-Fe合金所形成的。5.如权利要求1所述的基板的支承板，其中，该支承板是由玻璃所形成的。6.如权利要求1所述的基板的支承板，其中，该支承板是由陶瓷所形成的。7.如权利要求1所述的基板的支承板，其特征在于上述贯通孔的直径为0.3mm～0.5mm，上述贯通孔的中心孔距为0.5mm～1.0mm。8.一种支承板的剥离方法，该方法是将权利要求1至权利要求7所述的支承板从基板上剥离的方法，其特征在于从支承板的外侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫成淳，
申请(专利权)人：东京応化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]