【技术实现步骤摘要】
本专利技术的涉及具备电容器，特别是具备MIM(金属-绝缘体-金属)电容器的。
技术介绍
伴随着通信技术的进步，近些年来已将许多个人计算机(PC)和个人数字助理(PDA)连接到网络上使用。人们预测今后还会将许多家电产品(录像机、冰箱、空调等)也连接到网络上使用。在用这样的多个设备形成网络的情况下，特别是在一般家庭内，人们认为在办公室等中进行的每一个设备间布设LAN电缆构成网络的方法已不能适用，利用无线的无线连接将成为今后的主流。因此，人们认为今后要给大部分的LSI芯片附加上RF通信功能。这种LSI，从前要用多个芯片构成。例如，要用RF模拟器件(SiGe-BiCMOS等)的芯片和CMOS逻辑器件的芯片构成。在个人数字助理等的情况下，由于重视小型化，故上述LSI要求RF混合装载LSI的小型化。在RF混合装载LSI的情况下，RF模拟器件和CMOS逻辑器件被单芯片化。为了使RF模拟器件和CMOS逻辑器件单芯片化，就需要实现两器件的制造工艺的合并。RRF模拟器件，由电阻、电感、电容器等构成。CMOS逻辑器件则由多个MOS晶体管构成。因此，要想实现RF混合装载LSI，就需要...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，具备：半导体衬底，和在上述半导体衬底的上方设置的电容器，上述电容器，具备含有金属的下部电极，含有钽氧化物或铌氧化物的电介质膜和含有金属的上部电极，而且，还具备在上述下部电极和上述电介质膜之 间设置的下部势垒层和在上述上部电极和上述电介质膜之间设置的上部势垒层中的至少一方，上述下部势垒层和上述上部势垒层，是含有硅和氧的绝缘层，而且至少在与上述电介质膜接连的一侧的部分内含有上述氧。
【技术特征摘要】
JP 2003-2-28 053185/20031.一种半导体器件，其特征在于，具备半导体衬底，和在上述半导体衬底的上方设置的电容器，上述电容器，具备含有金属的下部电极，含有钽氧化物或铌氧化物的电介质膜和含有金属的上部电极，而且，还具备在上述下部电极和上述电介质膜之间设置的下部势垒层和在上述上部电极和上述电介质膜之间设置的上部势垒层中的至少一方，上述下部势垒层和上述上部势垒层，是含有硅和氧的绝缘层，而且至少在与上述电介质膜接连的一侧的部分内含有上述氧。2.一种半导体器件，其特征在于，具备半导体衬底、和在上述半导体衬底的上方设置的电容器，上述电容器，具备含有金属的下部电极，含有钽氧化物或铌氧化物的电介质膜和含有金属的上部电极，而且，还具备在上述下部电极和上述电介质膜之间设置的下部势垒层和在上述上部电极和上述电介质膜之间设置的上部势垒层中的至少一方，上述下部势垒层，是含有硅和氮的绝缘层，而且至少在与上述下部电极接连的一侧的部分内含有上述氮，上述上部势垒层，是含有硅和氮的绝缘层，而且，至少在与上述上部电极接连的一侧的部分内含有上述氮。3.一种半导体器件，其特征在于，具备半导体衬底，和在上述半导体衬底的上方设置的电容器，上述电容器，具备含有金属的下部电极，含有钽氧化物或铌氧化物的电介质膜和含有金属的上部电极，而且，还具备在上述下部电极和上述电介质膜之间设置的下部势垒层和在上述上部电极和上述电介质膜之间设置的上部势垒层中的至少一方，上述下部势垒层，是含有硅、氧和氮的绝缘层，至少在与上述下部电极接连的一侧的部分内含有上述氮，而且，至少在与上述电介质膜接连的一侧的部分内含有上述氧，上述上部势垒层，是含有硅、氧和氮的绝缘层，至少在与上述上部电极接连的一侧的部分内含有上述氮，而且，至少在与上述电介质膜接连的一侧的部分内含有上述氧。4.根据权利要求1到3中的任何一项所述的半导体半导体器件，其特征在于上述下部势垒层和上述上部势垒层，是含有硅、氮和氧的单层势垒层。5.根据权利要求1到3中的任何一项所述的半导体半导体器件，其特征在于上述下部势垒层和上述上部势垒层，是具备含有硅和氮绝缘层，和含有硅和氧的绝缘层的多层势垒层，或者是具备含有硅和氮的绝缘层，和含有硅和氧的绝缘层，设置在这些绝缘层之间，含有硅、氮和氧的绝缘层的多层势垒层。6.根据权利要求1到3中的任何一项所述的半导体器件，其特征在于上述下部势垒层和上述上部势垒层，含有杂质。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于上述杂质是硼或铟，而且，其浓度在0.01％～4％。8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于上述杂质是硼或铟，而且，其浓度在0.1％～1％...
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