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本发明的目的是实现可以容易地实现ＭＩＭ电容器的容量密度的增加的半导体器件及其制备方法。本发明的ＭＩＭ电容器，具备：含有金属的下部电极（３０、３１），含有钽氧化物的电介质膜（３２），含有ＳｉＯ层（３３↓［１］）和ＳｉＮ层（３３↓［２］）的下部...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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