半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术的涉及具备电容器，特别是具备ＭＩＭ（金属－绝缘体－金属）电容器的半导体器件及其制造方法。本发明专利技术的课题是实现可以容易地实现容量密度的增加的ＭＩＭ电容器。本发明专利技术的ＭＩＭ电容器，具备：下部电极（１）；在下部电极１的上方设置的，以钽氧化物或铌氧化物位主要成分的，在中央部分上含有凸部的第１电介质膜（２）；设置在第１电介质膜（２）的凸部上方的上部电极（３）；设置在下部电极（１）与第１电介质膜（２）之间，介电常数比第１电介质膜（２）小的第２电介质膜（４）；设置在上部电极（３）与第１电介质膜（２）的凸部之间的，介电常数比第１电介质膜（２）小的第３电介质膜（５）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的涉及具备电容器，特别是具备MIM(金属-绝缘体-金属)电容器的。
技术介绍
伴随着通信技术的进步，近些年来已将许多个人计算机(PC)和个人数字助理(PDA)连接到网络上使用。人们预测今后还会将许多家电产品(录像机、冰箱、空调等)也连接到网络上使用。在用这样的多个设备形成网络的情况下，特别是在一般家庭内，人们认为在办公室等中进行的每一个设备间布设LAN电缆构成网络的方法已不能适用，利用无线的无线连接将成为今后的主流。因此，人们认为今后要给大多数的LSI芯片附加上RF通信功能。这种的LSI，从前要用多个芯片构成。例如，要用RF模拟器件(SiGe-BiCMOS等)的芯片和CMOS逻辑器件的芯片构成。在个人数字助理等的情况下，由于重视小型化，故上述LSI要求RF混合装载LSI的小型化。在RF混合装载LSI的情况下，RF模拟器件和CMOS逻辑器件被单芯片化。为了使RF模拟器件和CMOS逻辑器件单芯片化，就需要实现两器件的制造工艺的合并。RRF模拟器件，由电阻、电感、电容器等构成。CMOS逻辑器件则由多个MOS晶体管构成。因此，要想实现RF混合装载LSI，就需要以CMOS逻辑工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于：具备：半导体衬底，和在上述半导体衬底的上方设置的电容器，　上述电容器，具备：含有金属的下部电极，在上述下部电极的上方设置的，含有钽氧化物或铌氧化物的，在上表面上含有凸部的第１电介质 膜，在上述第１电介质膜的上述凸部的上方设置的，含有金属的上部电极，在上述下部电极和上述电介质膜之间设置的，介电常数比上述第１电介质膜小的第２电介质膜，在上述第１电介质膜的上述凸部与上述上部电极之间设置的，介电常数比上 述第１电介质膜小的第３电介质膜。

【技术特征摘要】
JP 2003-2-28 053184/20031.一种半导体器件，其特征在于具备半导体衬底，和在上述半导体衬底的上方设置的电容器，上述电容器，具备含有金属的下部电极，在上述下部电极的上方设置的，含有钽氧化物或铌氧化物的，在上表面上含有凸部的第1电介质膜，在上述第1电介质膜的上述凸部的上方设置的，含有金属的上部电极，在上述下部电极和上述电介质膜之间设置的，介电常数比上述第1电介质膜小的第2电介质膜，在上述第1电介质膜的上述凸部与上述上部电极之间设置的，介电常数比上述第1电介质膜小的第3电介质膜。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述上部电极、上述第3电介质膜和上述第1电介质膜的上述凸部，从上看的形状和尺寸是相同的。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于上述金属是钛或钽。4.根据权利要求1或2中的任何一项所述的半导体器件，其特征在于上述第2和第3电介质膜的材料，是硅氮化物、铝氧化物、铪氧化物和锆氧化物中的至少一者。5.根据权利要求1或2中的任何一项所述的半导体器件，其特征在于还具备在上述电容器上设置的，介电常数比上述第1电介质膜低的第4电介质膜。6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于；具有如下的工序准备半导体衬底的工序；在上述半导体衬底的上方，形成具备含有金属的下部电极，含有叠层电介质膜和比上述下部电极小的、含有金属的上部电极的电容器的工序，上述形成电容器的工序，具有形成将成为上述下部电极的第1导电膜的工序；既是在上述第1导电膜上，形成含有钽氧化物或铌氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：清利正弘，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]