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本发明的涉及具备电容器，特别是具备ＭＩＭ（金属－绝缘体－金属）电容器的半导体器件及其制造方法。本发明的课题是实现可以容易地实现容量密度的增加的ＭＩＭ电容器。本发明的ＭＩＭ电容器，具备：下部电极（１）；在下部电极１的上方设置的，以钽氧化物或铌...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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