RRAM存储器单元电极及其制造方法技术

在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的ＲＲＡＭ存储单元，包括第一抗氧化层、第一难熔金属层、ＣＭＲ层、第二难熔金属层以及第二抗氧化层。制造多层电极ＲＲＡＭ存储单元的方法包括准备硅衬底；在衬底上形成从Ｎ＋结和Ｐ＋结组成的结组中选出的结；在该结上沉积金属栓；在金属栓上沉积第一抗氧化层；在该第一抗氧化层上沉积第一难熔金属层；在该第一难熔金属层上沉积ＣＭＲ层；在该ＣＭＲ层上沉积第二难熔金属层；在该第二难熔金属层上沉积第二抗氧化层；以及完成该ＲＲＡＭ存储单元。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于非易失性存储器阵列的薄膜电阻存储器器件，更具体地涉及RRAM存储器单元的多层电极。
技术介绍
现在没有商业可用的RRAM器件，然而，使用Pt，Au，Ag，Al，Ti和TiN电极的实验性器件已经被开发出来了。Pt、An和Ag电极设备具有良好的持久力，然而，由这些材料形成的电极不能用传统的集成电路蚀刻工艺来蚀刻。实验性器件通过使用浅掩模或化学机械抛光(CMP)工艺制成，它们对于亚微米和大型存储器件的制造既不合适而且成本效率不高。而在实验器件中使用的另外的电极材料表现出低可靠度和低持久力。在2000年5月的Apllied PhysicsLetters，Vol.76，#19，p2749-2751刊登了Liu等人的“Electrical-pulse-inducedreversible resistance change effect in magnetoresistive films(在磁阻薄膜中的电脉冲引起的可逆阻抗变化效应)”。该专利技术提供可靠的电极结构以提升器件可靠度、持久力，而同时减少制造成本。
技术实现思路
在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的RR本文档来自技高网...

【技术保护点】
在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的ＲＲＡＭ存储单元，包括：第一抗氧化层；第一难熔金属层；ＣＭＲ层；第二难熔金属层；第二抗氧化层。

【技术特征摘要】
US 2003-12-8 10/7305841.在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的RRAM存储单元，包括第一抗氧化层；第一难熔金属层；CMR层；第二难熔金属层；第二抗氧化层。2.如权利要求1的RRAM存储单元，其中抗氧化层是由从TiN、TaN、TiAlNx、TaAlNx、TaSiN、TiSiN和RuTiN组成的材料组中选择的材料形成的。3.如权利要求2的RRAM存储单元，其中抗氧化层的厚度约为50nm～300nm。4.如权利要求1的RRAM存储单元，其中难熔金属层是由从Pt、Ir、IrO2、Ru、RuO2、Au、Ag、Rh、Pd、Ni和Co组成的材料组中选择的材料形成的。5.如权利要求4的RRAM存储单元，其中难熔金属层的厚度为3nm～50nm。6.如权利要求1的RRAM存储单元，其中该CMR层是由从CMR材料和高温超导材料组成的材料组中选取的材料形成的。7.如权利要求6的RRAM存储单元其中该CMR层厚度约为50nm～300nm。8.一种制造多层电极RRAM存储单元的方法包括准备硅衬底；在硅衬底中形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：许胜籐，潘威，张风燕，庄维佛，李延凯，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]