平面内切换型液晶显示装置及其采用的存储电容制造方法及图纸

一种平面内切换型液晶显示装置采用的存储电容，其包括一第一电极、一覆盖在该第一电极上的第一绝缘层、一设置在该第一绝缘层上而且位于该第一电极正上方的漏极线、一覆盖在该第一绝缘层与漏极线上的第二绝缘层、一设置在该第二绝缘层上而且位于该漏极线正上方的共用电极，其中，该共用电极充分覆盖该漏极线。本发明专利技术还提供一种采用该存储电容的平面内切换型液晶显示装置，其不仅开口率高而且显示品质良好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有源矩阵型液晶显示装置及其采用的存储电容，尤其涉及一种平面内切换型液晶显示装置及其采用的存储电容。
技术介绍
液晶显示装置中的液晶本身不具发光特性，其通过采用电场控制液晶分子扭转而实现光的通过或不通过，从而达到显示目的。在传统扭曲向列型(Twist Nematic，TN)液晶显示装置中，在两玻璃基底的表面形成电极，以形成垂直于玻璃基底的电场来控制液晶分子的扭转。众所周知，传统扭曲向列型液晶显示装置存在视角缺陷。为改善视角缺陷，业界发展出一种平面内切换型(In Plane Switching，IPS)液晶显示装置，其采用平行于玻璃基底的电场来控制液晶分子的偏转。一种现有技术平面内切换型液晶显示装置请参阅1997年2月4日公告的美国专利第5,600,464号，该平面内切换型液晶显示装置将共用电极(Common electrode)和像素电极(Picture elementelectrode)设置在同一基底上，加电压时，该共用电极与像素电极间形成平行于基底的电场，从而控制液晶分子于平行于基底的平面内发生偏转。另外，为能存储信号电压，像素电极与扫描信号电极(Scanning signal electrode)之间形成一存储电容，而且为达到一定电容值，像素电极与扫描信号电极必须具备一定面积，从而将影响该平面内切换型液晶显示装置的开口率。为获得较高开口率，2003年9月30日公告的美国专利第6,628,362号揭示另一种现有技术平面内切换型液晶显示装置。请参阅图1和图2，图1是该平面内切换型液晶显示装置一像素单元100的示意图，图2是沿图1所示剖面线II-II的截面图。该平面内切换型液晶显示装置包括多个像素单元100，该像素单元100内，两栅极线101、101’与两信号线102、102’相互垂直设置在一透明基底110上，并形成一矩阵区域，该像素单元100由该矩阵区域限定。图1中有一圆形标记区125，其标示出形成一存储电容的一组电极。如图2所示，共用电极109与信号电极108形成第一电容，信号电极108与栅极线101形成第二电容，该第一电容与第二电容并联形成该存储电容，则，该存储电容的电容值为该第一电容与第二电容电容值之和，所以维持该存储电容的电容值一定时，可通过减小该共用电极109、信号电极108与栅极线101的面积来提高该平面内切换型液晶显示装置的开口率。但是，由于该平面内切换型液晶显示装置存在不预期的电容耦合效应，其显示品质将受到影响。例如， 当该平面内切换型液晶显示装置处于工作状态时，该信号电极108与相邻像素单元的信号电极间存在一电压差，而且该信号电极108无屏敝保护，因此，此电压差加上电容耦合效应会使得该存储电容维持的电压不稳，从而，导致该像素单元100的显示品质受到影响。所以，该平面内切换型液晶显示装置采用该存储电容，虽然具有较高的开口率，但显示品质不够良好。
技术实现思路
为克服现有技术存储电容不能确保平面内切换型液晶显示装置具备开口率高而且显示品质良好的缺陷，本专利技术提供一种可确保平面内切换型液晶显示装置开口率高而且显示品质良好的存储电容。本专利技术还提供一种采用该存储电容的平面内切换型液晶显示装置。本专利技术解决技术问题的技术方案是本专利技术提供一种平面内切换型液晶显示装置采用的存储电容，其包括一第一电极、一覆盖在该第一电极上的第一绝缘层、一设置在该第一绝缘层上而且位于该第一电极正上方的漏极线、一覆盖在该第一绝缘层与漏极线上的第二绝缘层、一设置在该第二绝缘层上而且位于该漏极线正上方的共用电极，其中，该共用电极充分覆盖该漏极线。本专利技术还提供一种采用上述存储电容的平面内切换型液晶显示装置，其包括一基底和多个像素单元，该多个像素单元由设置在该基底上的多个信号线与栅极线相交设置而成，每一像素单元包括一薄膜晶体管、一像素电极和一存储电容，该薄膜晶体管包括一与该栅极线电连接的栅极、一与该信号线相连的源极、一漏极和一设置在该栅极、源极和漏极之间的通道，该存储电容包括一第一电极、一覆盖在该第一电极上的第一绝缘层、一设置在该第一绝缘层上而且位于该第一电极正上方的漏极线、一覆盖在该第一绝缘层与漏极线上的第二绝缘层、一设置在该第二绝缘层上而且位于该漏极线正上方的共用电极，其中，该漏极线与像素电极电连接，该共用电极充分覆盖该漏极线。与现有技术相比，本专利技术平面内切换型液晶显示装置采用的存储电容中，该第一电极与漏极线形成一电容，该漏极线与共用电极形成另一电容，该两电容相并联而成该存储电容，该存储电容的电容值为该两电容的电容值之和，从而，采用该存储电容的平面内切换型液晶显示装置可获得较高开口率。另外，该共用电极充分覆盖该漏极线，可充分屏敝不预期的电容耦合效应对该漏极线产生的不良影响，进而确保良好的显示品质。综上所述，本专利技术的存储电容可确保平面内切换型液晶显示装置开口率高而且显示品质良好；本专利技术的平面内切换型液晶显示装置开口率高而且显示品质良好。附图说明图1是一种现有技术平面内切换型液晶显示装置一像素单元的结构示意图。图2是沿图1所示剖面线II-II的截面图。图3是本专利技术平面内切换型液晶显示装置一像素单元的结构示意图。图4是图3所示剖面线IV-IV的截面图。图5是图3所示剖面线V-V的截面图。具体实施方式请参阅图3，图4和图5，图3是本专利技术平面内切换型液晶显示装置一像素单元的示意图，图4与图5是分别沿图1所示剖面线IV-IV、V-V的截面图。该平面内切换型液晶显示装置包括多个像素单元200，该像素单元200由两信号线201、两栅极线202、第一绝缘层222、第二绝缘层223和薄膜晶体管205构成。该两信号线201与两栅极线202相交设置在一基底230上，并限定出该像素单元200的范围。该第一绝缘层222设置在该栅极线202和信号线201之间，以使该栅极线202与信号线201相互绝缘。该薄膜晶体管205设置在该栅极线202与信号线201的相交处，而且其包括一与栅极线202电连接的栅极202’，一与信号线201电连接的源极201’，一漏极203’和一设置在该栅极202’、源极201’和漏极203’之间的通道204，而且该通道204为非晶硅膜。该像素单元200还包括一第一电极212、一与该漏极203’电连接的漏极线203、一共用电极210和一像素电极211。该第一电极212形成于该基底230上，该第一绝缘层222设置在该第一电极211与基底230之间，该漏极线203设置在该第一绝缘层222上，而且该漏极线203一部分位于该第一电极212相应部分的正上方。该第二绝缘层223设置在该漏极线203上，该共用电极210设置在该第二绝缘层223上，而且该共用电极210一部分设置在该漏极线203相应部分的正上方。该共用电极210通过连接孔221与该第一电极212电连接，该像素电极211通过连接孔220与该漏极线203电连接，而且该像素电极211与共用电极210充分平行，用以产生平行于基底230的电场。该第一电极212、漏极线203和共用电极210相互配合形成一存储电容。该第一电极212与漏极线203形成第一电容，该漏极线203与共用电极210形成第二电容，该第一电容与第二电容相并联形成该存储电容。类似于图1与图2所示的平面内切换型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面内切换型液晶显示装置采用的存储电容，其包括一第一电极、一覆盖在该第一电极上的第一绝缘层、一设置在该第一绝缘层上而且位于该第一电极正上方的漏极线、一覆盖在该第一绝缘层与漏极线上的第二绝缘层、一设置在该第二绝缘层上而且位于该漏极线正上方的共用电极，其特征在于：该共用电极充分覆盖该漏极线。

【技术特征摘要】
1.一种平面内切换型液晶显示装置采用的存储电容，其包括一第一电极、一覆盖在该第一电极上的第一绝缘层、一设置在该第一绝缘层上而且位于该第一电极正上方的漏极线、一覆盖在该第一绝缘层与漏极线上的第二绝缘层、一设置在该第二绝缘层上而且位于该漏极线正上方的共用电极，其特征在于该共用电极充分覆盖该漏极线。2.如权利要求1所述的存储电容，其特征在于该共用电极与第一电极电连接。3.如权利要求1所述的存储电容，其特征在于该共用电极的面积大于该漏极线的面积。4.一种平面内切换型液晶显示装置，其包括一基底和多个像素单元，该多个像素单元由设置在该基底上的多条信号线与栅极线相交设置而成，每一像素单元包括一薄膜晶体管、一像素电极和一存储电容，该薄膜晶体管包括一与该栅极线电连接的栅极、一与该信号线相连的源极、一漏极和一设置在该栅极、源极和漏极之间的通道...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖昭志，刘妘诗，谢朝桦，彭家鹏，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]