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在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的ＲＲＡＭ存储单元，包括第一抗氧化层、第一难熔金属层、ＣＭＲ层、第二难熔金属层以及第二抗氧化层。制造多层电极ＲＲＡＭ存储单元的方法包括准备硅衬底；在衬底上形成从Ｎ＋结和Ｐ＋结组成的结组中选出的结...
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