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具铅直MOS晶体管之DRAM胞元排列及其制造方法技术
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文档序号:3208614
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沿着内存胞元矩阵的某一行(column)所排列的信道区域(6)乃是一被闸极介电层(9)所围绕的肋条(7)之一部分。属于某列(row)的MOS晶体管之闸电极(11,12)则是一类似条状之字符线(10)的一部份,以致于在该内存胞元矩阵的每个交叉...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有,仅供学习研究参考,未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。
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