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一种闪速存储器件的制造方法，其特征在于，包括：　　　　（ａ）在半导体衬底上形成闪速存储单元的工序；以及　　　　（ｂ）在上述闪速存储单元上形成第１层间绝缘膜的工序，　　　　在上述工序（ｂ）中，作为热处理，至少进行１次以上的炉内退火。...
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