闪速存储器、闪速存储器系统及其操作方法技术方案

本发明专利技术提供了闪速存储器、闪速存储器系统及其操作方法。操作闪速存储器的方法包括对具有包括在第一相邻阈值电压范围和第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，并且基于存储器单元的第一计数数量和第二计数数量之差来设置第一最佳读取电压，第一相邻阈值电压范围由用于区分初始分开的相邻设置的阈值电压分布的第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第一电压差的第一搜索读取电压来限定，第二相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第二电压差的第二搜索读取电压来限定。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了。操作闪速存储器的方法包括对具有包括在第一相邻阈值电压范围和第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，并且基于存储器单元的第一计数数量和第二计数数量之差来设置第一最佳读取电压，第一相邻阈值电压范围由用于区分初始分开的相邻设置的阈值电压分布的第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第一电压差的第一搜索读取电压来限定，第二相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第二电压差的第二搜索读取电压来限定。【专利说明】本申请要求于2013年I月14日提交到韩国知识产权局的第10-2013-0004037号韩国专利申请的权益，该申请的内容通过引用全部包含于此。
本专利技术构思涉及，更具体地讲，涉及。
技术介绍
随着闪速存储器的集成密度增大，操作速度可以提高，但是由于操作环境的改变对阈值电压分布的影响，导致读取操作误差也有可能增加。
技术实现思路
根据本专利技术构思的一方面，提供了一种操作闪速存储器的方法，所述方法包括:分别对具有包括在第一共相邻阈值电压范围和第二共相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，第一相邻阈值电压范围和第二共相邻阈值电压范围是因为两个初始分开的阈值电压分布已变得重叠而存在的，使得第一相邻阈值电压范围和第二相邻阈值电压范围中的一个包括第一阈值电压分布的范围的一部分和第二阈值电压分布的范围的一部分。第一相邻阈值电压范围由(用于区分相邻位于的初始分开的阈值电压分布而初始选择)第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第一电压差的第一搜索读取电压限定。第二相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第二电压差的第二搜索读取电压限定。所述方法还可以包括:基于通过将第一调节参数应用于具有包括在第一相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量和具有包括在第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量之差而产生的结果值，来设置第一最佳读取电压。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种操作多级单元NAND闪速存储器的方法，所述方法包括:对具有包括在第一阈值电压范围和第二阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，第一阈值电压范围和第二阈值电压范围由第一参考读取电压和一对第一搜索读取电压限定，所述一对第一搜索读取电压分别与第一参考读取电压具有第一电压差和第二电压差；基于通过将调节参数应用于具有第一阈值电压范围内的阈值电压的存储器单元的数量和具有第二阈值电压范围内的阈值电压的存储器单元的数量之差而产生的结果值，来设置第一最佳读取电压。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种操作多级单元NAND闪速存储器系统的方法，所述方法包括:对具有包括在第一相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，第一相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和一对第一搜索读取电压中的一个限定，所述一对第一搜索读取电压分别与第一参考读取电压具有第一电压差和第二电压差；对具有包括在第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，第二相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和所述一对第一搜索读取电压中的另一个限定；基于通过将调节参数应用于具有包括在第一相邻阈值电压范围内的阈值电压的存储器单元的数量和具有分别包括在第二相邻阈值电压范围内的阈值电压的存储器单元的数量之差而产生的结果值，来设置第一最佳读取电压。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种具有存储器控制器和闪速存储器的闪速存储器系统，包括:计数器，被构造为对具有包括在第一相邻阈值电压范围和第二相邻阈值电压范围的每个中的存储器单元的数量进行计数，第一相邻阈值电压范围和第二相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和一对第一搜索读取电压限定，所述一对第一搜索读取电压分别与第一参考读取电压具有第一电压差和第二电压差；控制逻辑，被构造为基于通过将第一调节参数应用于具有包括在第一相邻阈值电压范围内的阈值电压的存储器单元的数量和具有包括在第二阈值电压范围内的阈值电压的存储器单元的数量之差而产生的结果值，来设置第一最佳读取电压。如本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和全部组合。措辞诸如“至少一个”当放在一列元件之前时，修饰整列元件并不是修饰该列中的个体元件。现在，将参照附图更充分地描述本专利技术，在附图中示出本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以用许多不同形式来实施并且不应该被理解为限于这里阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本专利技术将是彻底和完全的，并且将把本专利技术的构思充分地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰起见，可以夸大区域的厚度或宽度。附图中类似的参考标号表示类似的元件，因此将省去冗余的描述。本说明书中使用的术语只是用于说明示例性实施例，并不限制本专利技术的范围。除非上下文另外明确指出，否则单数的表述物也可以包括多个表述物。【专利附图】【附图说明】通过下面结合附图进行的详细描述，将更加清楚地理解本专利技术构思的示例性实施例，其中:图1是示出根据实施例的操作闪速存储器的方法的流程图；图2是示出图1的第一阈值电压范围和第二阈值电压范围的阈值电压分布图；图3是示出图1的第一参考读取电压的阈值电压分布图；图4是示出图1的第一电压差和第二电压差的各种示例的阈值电压分布图；图5是示出图1的一对第一搜索读取电压和第二搜索读取电压的示例的与逻辑状态表配对的阈值电压分布图；图6是示出图1的第一最佳读取电压的阈值电压分布图；图7A和图8A是分别示出图1的第一调节参数的阈值电压分布图；图7B和图8B是分别示出图1的第一调节参数的阈值电压分布图；图9是示出根据示例性实施例的操作闪速存储器的方法的阈值电压分布示图；图1OA和图1OB是示出图9的各个调节参数之间的关系的阈值电压分布图；图1lA和图1lB是示出根据示例性实施例的操作闪速存储器的方法的阈值电压分布图；图12A、图12B和图12C是示出图11的操作相邻的阈值电压分布的方法的阈值电压分布图；图13是示出根据示例性实施例的操作闪速存储器的方法的表格；图14是根据示例性实施例的闪速存储器系统的框图；图15和图16是分别示出计数器和控制逻辑设置在图14的闪速存储器系统中的存储器控制器和闪速存储器的示例的根据其它示例性实施例的闪速存储器系统的框图；图17是图14的闪速存储器系统的存储器控制器的示例性实现方式的框图；图18是实现固态驱动(SSD)所应用的图14的存储器系统的示例性实现方式的框图；图19是包括具有图18的SSD的服务器系统的示例性网络系统的网络示图；图20是包括图14的存储器系统的计算机装置的框图；以及图21是图14的闪速存储器的三维示例性实现的电路图。【具体实施方式】图1是示出根据本专利技术构思的实施例的操作闪速存储器的方法的流程图。参照图1，根据实施例的操作闪速存储器的方法包括对包括在第一阈值电压范围中的存储器单元的数量进行计数并且对包括在第二阈值电压范围中的存储器单元的数量进行计数的步骤(S120)，第一阈值电压范围和第二阈值电压范围是与两个对应的阈值电压分布的初始范围不同的共相邻的阈值电压范围。第一(相邻)阈值电压范围由第一参考读取电压和一对第一搜索读取电压和第二搜索读取电压中的一个所限定，第一搜索读取电压和第二搜索读取电压具有相对于第一参考本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作闪速存储器的方法，所述方法包括：对具有包括在第一相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，其中，所述第一相邻阈值电压范围由用于区分相邻位于的第一对阈值电压分布的第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第一电压差的第一搜索读取电压所限定；对具有包括在第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，其中，所述第二相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第二电压差的第二搜索读取电压所限定；基于具有包括在第一相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的计数数量和具有包括在第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的计数数量之间的计数差，来设置第一最佳读取电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金经纶，尹翔镛，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR