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本发明涉及一种快闪存储器的存储单元的制造方法，主要于半导体基底表面形成主动区，再依序形成第一绝缘层、第一导电层与第一遮蔽层，移除部分的第一遮蔽层以形成第一开口，进行氧化过程形成浮置栅氧化层；去除部分的第一导电层与第一绝缘层，形成第二开口以形...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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