【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种制造只读存储器(read only memory，简称ROM)的方法，且特别有关于一种制造氮化硅只读存储器(nitrideROM，NROM)的方法。
技术介绍
氮化硅只读存储单元的作法是在基底上先形成一层氮化硅堆栈层(stacked layer)。然后，定义此氮化硅堆栈层，再进行一次氧化工艺，以于暴露出的基底上形成一层埋入式漏极(buried drain，简称BD)氧化层。接着，对基底进行一第一离子植入工艺，以于基底中形成作为埋入式位线(buried bit line)的掺杂区域。然后，进行第二次离子植入工艺，以于氮化硅堆栈层两侧基底内形成接合区域(junction region)。最后，于氮化硅堆栈层上形成多晶硅字符线(word line)，亦即作为存储单元的栅极。而通常半导体工艺都是采取整合方式同时形成存储单元与周边电路区，所以在上述氮化硅只读存储单元工艺期间，还包括在第二次离子植入工艺后进行另一次氧化工艺，以于周边电路区形成栅氧化层(gate oxide layer)。而公知在形成埋入式漏极氧化层与栅氧化层时所进行氧化法不是都采用湿...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造氮化硅只读存储器的方法，适于整合一氮化硅只读存储单元与一周边电路的工艺，其特征是，该方法包括于一基底上形成一氮化硅堆栈层；定义该氮化硅堆栈层，以暴露出部分该基底；施行一离子植入工艺，以于定义过的该氮化硅堆栈层之间的该基底内形成一埋入式位线；施行一湿式氧化法，以于该埋入式位线表面形成一氧化层；施行一干式氧化法，以于该周边电路区形成一栅氧化层；以及于该基底上形成一图案化导体层，以作为该氮化硅只读存储单元的字符线与该周边电路区的栅极。2.如权利要求1所述的制造氮化硅只读存储器的方法，其特征是，该氮化硅堆栈层具有一底氧化层、一氮化硅层与一顶氧化层。3.如权利要求2所述的制造氮化硅只读存储器的方法，其特征是，该底氧化层的厚度在50-100埃之间。4.如权利要求2所述的制造氮化硅只读存储器的方法，其特征是，该氮化硅层的厚度在20-50埃之间。5.如权利要求2所述的制造氮化硅只读存储器的方法，其特征是，该顶氧化层的厚度在50-100埃之间。6.如权利要求1所述的制造氮化硅只读存储器的方法，其特征是，该图案化导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘振钦，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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